山東
IT之家 6 月 24 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（6 月 23 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)三星披露下一代 NAND Flash（閃存）路線(xiàn)圖，計(jì)劃 2030 年前后沖擊 900 至 1000 層 SSD。
6 月 14~18 日在美國(guó)夏威夷召開(kāi)的 2026 年 IEEE / JSAP VLSI 技術(shù)與電路研討會(huì)（VLSI Symposium 2026）上，三星公開(kāi)了更完整的 NAND Flash（閃存）路線(xiàn)圖。
根據(jù)幻燈片披露的路線(xiàn)規(guī)劃，三星計(jì)劃 2029 年實(shí)現(xiàn) 420 層 NAND 閃存解決方案，到 2030 年推進(jìn)至 560 層以上。隨后在下一個(gè)十年初，繼續(xù)把層數(shù)翻倍，邁向 1000 層以上產(chǎn)品，服務(wù)高容量存儲(chǔ)場(chǎng)景。IT之家附上相關(guān)截圖如下：
路線(xiàn)還規(guī)劃展示 900 至 1000 層方案，三星計(jì)劃通過(guò) CMB（單元多重鍵合）連接方式，在一顆芯片內(nèi)封裝 2 組 450 層單元，讓 8 TB 的 QLC M.2 SSD 可以提升到最高 32 TB。
在量產(chǎn)難度方面，三星表示主要障礙包括晶圓翹曲和層間對(duì)準(zhǔn)誤差。三星公司計(jì)劃引入 Upper Chuck Design 方案來(lái)控制翹曲，并借助 Overlay Correction（疊對(duì)校正）技術(shù)降低錯(cuò)位風(fēng)險(xiǎn)。
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