河南
近日，聯想（Lenovo）在2026年國際高性能計算大會（ISC 2026）上對當前存儲市場的發展趨勢進行了分析，并表示隨著人工智能產業持續高速發展，DRAM與NAND閃存價格可能長期維持高位，未來甚至難以恢復至2025年初的價格水平。
聯想在大會展示的演示文稿中指出，自2025年第三季度末開始，DRAM和NAND市場價格便進入快速上漲通道，如今已達到此前難以想象的高位。盡管各大存儲芯片廠商正積極擴充產能、建設新晶圓廠，以緩解供需失衡的問題，但新增產能或難以徹底改變市場供不應求的局面，高價格有望成為未來數年的行業常態。
演講中，聯想將這一現象戲稱為“RAM災難”（RAM災難），隨后表示，隨著AI算力需求不斷攀升，更高的內存價格很可能將在2030年甚至更久之后成為市場的新常態。
事實上，多家存儲廠商此前也曾發出類似預警。美光近期表示，即便是戰略級客戶，公司目前也無法完全滿足其HBM等高端存儲產品需求；三星電子和SK海力士同樣認為，AI帶來的需求增長速度遠超行業預期，存儲市場仍將持續處于供應緊張狀態。
聯想認為，即便各家廠商持續擴大投資，新建晶圓廠陸續投產，也只能逐步緩解供需缺口，而難以令價格重新回落至2025年初的低位水平。
對于普通消費者而言，這意味著未來不僅內存條和固態硬盤的售價可能長期保持高位，個人電腦、游戲主機、智能手機以WEiBo.COM/ttarticle/p/show?id=2309405314790205030581及各類依賴存儲芯片的電子產品，也將面臨更高的制造成本和終端售價，過去廉價升級內存、低價購買SSD的時代或將逐漸成為歷史。
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