01

前沿導讀

中欣晶圓半導體總經理在做客《灣芯會客室》節目時表示，中國芯片在高端領域存在較大的進口替代空間，應用在高制程的12英寸硅片，其整體自主化率不足15%，大部分的技術設備需要依賴進口。

產業的認證周期較長，最快一輪下來都要半年，如果是全驗證通過進入量產階段，需要一年至一年半的時間。先進制程是未來市場，其未來的大方向就是被國內廠商的技術替代掉。

參考資料：
灣芯會客室 | 全鏈突圍進行時 國內晶圓制造的"雙軌并行"
https://www.douyin.com/video/7596961645549718824

02

先進制程

據《中國經營報》新聞指出，全球半導體公司在先進技術的競爭當中進入白熱化階段，英特爾的18A工藝步入小規模量產階段，18A工藝相當于1.8nm節點，并且該工藝使用ASML第二代高數值孔徑的EUV光刻機進行制造，其對比的則是臺積電與三星推出的2nm工藝。

英特爾、臺積電、三星，這三家是目前先進技術的核心競爭者，而中國大陸地區的中芯國際、華虹半導體等公司則是依然聚焦于28nm及以上制程的成熟工藝。

成熟工藝在現階段是中國企業的核心利潤來源，據中芯國際的財報數據顯示，其28nm及以上工藝的營收占比達到了90%以上。

具備Fin FET晶體管結構的14nm、12nm有一定規模的出貨，但受限于美國在制造設備上面的出口限制，該工藝節點并未給企業創造規?；?。

至于中芯南方工廠負責的N+1、N+2等先進制程技術，由于該工廠為多方合資的企業，母公司中芯國際不具備最終的實際控制權，所以在母公司的財報當中并未體現南方工廠的經濟情況。

CHIP中國區實驗室主任羅國昭對此解釋稱，國產半導體企業正在集中于28nm及以上工藝的擴產，并同時向14nm、12nm等中端制程技術推進。

這種政策看似與國際企業形成了巨大的技術代差，但是依托中國本土強大的電子制造業和汽車工業體系，可以顯著提升中國芯片的市場占有率，進而推動本土產業鏈進入國產化替代階段。

國產先進工藝也取得了一定程度的進展，采用ASML浸潤式光刻機和自對準多重圖案化技術制造的國產芯片已經實現了量產，其晶體管密度達到了1.08MTr/mm2 (百萬晶體管每平方毫米)，等效工藝為7nm。

參考資料：
全球1.8納米先進制程大戰加劇 中國半導體穩健突破
http://www.cb.com.cn/index/show/bzyc/cv/cv135251791649

據中國社會科學院產業與企業競爭力研究中心發布《產業藍皮書：中國產業競爭力報告》顯示，依托全球集成電路產業的進步降速，國產28nm節點的成熟芯片將會快速驅動顯示芯片、功率芯片、射頻芯片領域的自主化提升，成為保護國內安全需求的重要支撐。

國產先進制程也迎來了技術突破，相關企業正在向更先進的5nm節點展開技術研發。

參考資料：
產業藍皮書：我國集成電路全產業鏈自主可控能力顯著提升
https://www.dutenews.com/n/article/8904959

03

重倉設備

據《中國工業報》新聞指出，截止到2025年第三季度，國家集成電路產業投資基金（大基金）的投資路線已經明朗，北方華創、滬硅產業、拓荊科技這三家半導體供應鏈企業位居大基金扶持力度的最前列，現在以及未來重點扶持的項目將會是半導體核心裝備與基礎材料。

常信科技CEO葛林波對采訪媒體表示，國家的扶持已經進入了設備先行、材料筑基、技術協同的全鏈路攻堅體系，國家資源的投資并不是為了追求商業收入，而是追求國家科技自立自強的戰略任務。

制造設備與制造材料是國產化替代非常薄弱的環節，其中涉及到海外企業的技術專利與供應鏈之間的匹配程度，該產業環節的突破往往伴隨著周期長、投入大、回報慢的現象，但該產業對于實現產業鏈自主可控具有重大戰略意義，再艱難也要發展。

遠東資信研究院研究員黃美霖對媒體表示，在前沿技術領域實現進口產品替代的困難度最高，ASML的EUV光刻機是一個大問題，該設備是制造7nm及以下芯片的核心設備，而國產廠商只在28nm及以上制程的設備當中初步實現了國產替代。

想要對進口的技術設備實現大規模替代，主要有三方面的挑戰。

一是高端設備材料的瓶頸，二是產業鏈彼此之間的協同水平，三是金融體系的支持。

300mm大硅片、國產光刻膠等基礎材料已經有部分企業實現了突破，但是下游廠商出于對產品良率、供應鏈穩定性的考慮，很少會有企業主動去使用國產材料，導致國產材料的規模化進度緩慢，其核心的問題在于良率和供應鏈的穩定會影響整體的經濟收入。

在先進技術領域實現國產化替代，設備材料、合作、資金支持都是因果關系，未來國家給予的政策扶持，將會逐步解決國產化材料“使用困難”的問題。