2026年3月31日，全球市場研究機構(gòu)TrendForce發(fā)布了內(nèi)存市場最新分析預(yù)測報告。

分析顯示，2026年第二季度，DRAM供應(yīng)商正持續(xù)將產(chǎn)能調(diào)配至高帶寬內(nèi)存（HBM）與服務(wù)器存儲領(lǐng)域，同時推行補漲定價策略，以此縮小各產(chǎn)品線間的價差。在此背景下，即便終端市場出貨量仍面臨一定下行壓力，傳統(tǒng)DRAM合約價預(yù)計仍將環(huán)比上漲58%~63%。

與此同時，人工智能與數(shù)據(jù)中心的強勁需求持續(xù)拉動NAND閃存市場行情，漲價勢頭已全面覆蓋全品類產(chǎn)品，預(yù)計二季度NAND閃存合約價或?qū)⑦_到70%~75%的環(huán)比漲幅。

北美云服務(wù)運營商正加速推進人工智能推理業(yè)務(wù)部署，這一舉措直接拉動了人工智能服務(wù)器及通用服務(wù)器的采購需求，使得大容量雙列直插式內(nèi)存模組（RDIMM）成為市場核心采購標的。

從供應(yīng)端來看，廠商憑借更高的盈利空間，持續(xù)優(yōu)先保障服務(wù)器DRAM的產(chǎn)能供應(yīng)，并與核心客戶簽訂長期供貨協(xié)議，為后續(xù)產(chǎn)能擴容提前鋪路。不過，短期內(nèi)市場供貨緊張的格局仍難以得到緩解。

在手機市場方面，各大主流品牌持續(xù)面臨內(nèi)存成本攀升的壓力，或?qū)?026年第二季度起逐步調(diào)整生產(chǎn)規(guī)劃，但上半年移動端DRAM需求暫時不會出現(xiàn)大幅萎縮。

目前，DRAM廠商正與核心客戶密集敲定二季度定價基準、明確漲價幅度，同時通過補漲定價策略抹平不同應(yīng)用場景的價差。因此，預(yù)計移動端DRAM合約價將延續(xù)上一季度的上漲態(tài)勢。

在顯存領(lǐng)域，內(nèi)存漲價已明顯拖累筆記本電腦與游戲設(shè)備的市場需求，加之圖形顯存（GDDR）的產(chǎn)能分配持續(xù)受限，市場供貨缺口難以填補，2026年第二季度顯存價格或?qū)⑦M一步攀升。

在消費級DRAM領(lǐng)域，采購方主要主打低價走量的薄利產(chǎn)品。自2025年初開啟的持續(xù)漲價潮，已導(dǎo)致部分產(chǎn)品的內(nèi)存成本高于終端售價，采購需求因此出現(xiàn)小幅降溫。但頭部廠商逐步退出消費級DRAM賽道，仍是打破市場供需平衡的核心因素，當前市場供貨短缺問題尚未得到有效緩解。

在嵌入式閃存（eMMC/UFS）領(lǐng)域，盡管智能手機市場整體行情疲軟，但旗艦機型搭載人工智能功能所催生的高速傳輸需求依舊剛性不減，車載與工業(yè)級市場需求也迎來小幅回暖態(tài)勢。

在供應(yīng)層面，嵌入式閃存與企業(yè)級固態(tài)硬盤共享部分制程產(chǎn)能資源，但由于兩者盈利水平差距懸殊，使其成為全品類中供貨缺口最大的細分產(chǎn)品，預(yù)計2026年第二季度其價格將大幅飆升。

在普通消費級存儲卡及U盤領(lǐng)域，市場需求在漲價壓力下持續(xù)萎縮，相關(guān)廠商深陷成本與銷量的雙重困境，進而大幅削減NAND閃存晶圓采購量。

總的來看，2026年第二季度，即便NAND閃存廠商通過工藝升級、加大四階存儲單元（QLC）滲透率等方式提升芯片出貨比特總量，行業(yè)產(chǎn)能增長幅度依舊有限，市場整體嚴重短缺的趨勢仍難以扭轉(zhuǎn)。