2026年3月的深圳，CFMS |MemoryS 2026中國閃存市場峰會以"穿越周期·釋放價值"為主題，匯聚了全球存儲產業鏈的核心力量。峰會現場，芯師爺采訪了部分存儲廠商，本文為采訪系列文章第2篇，存受訪企業為鎧俠。

2026年3月，深圳CFMS | MemoryS 2026峰會現場，鎧俠展臺上，三枚晶圓并列陳列——第八代、第九代、第十代BiCS FLASH，三代產品首次同臺亮相。這一極具象征意義的布置，宣告了一場靜默革命的開啟。

"第九代BiCS FLASH與第十代BiCS FLASH進行的是雙軌并行的策略。"當外界沉迷于332層這個數字時，鎧俠正在打破存儲行業信奉了二十余年的"摩爾定律式"迭代邏輯。這不是對技術進步的背離，而是一場關于"何為進步"的重新定義。

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層數競賽的"不可能三角"

要理解這場革命的必然性，需要先看清產業正在陷入的困局。

NAND Flash的層數競賽曾是最純粹的工程游戲。從2007年東芝（鎧俠前身）推出首款BiCS三維閃存，到2024年三星量產286層V9、SK海力士推出321層4D NAND，層數提升始終是技術進步的核心指標。但這場競賽的邊際成本正在急劇攀升。

根據ISSCC 2025披露的技術細節，當3D NAND邁向300層以上，單層晶圓的厚度與刻蝕深度已逼近物理極限。超過200層后，單晶圓無法承載更高堆疊結構，必須通過兩片晶圓鍵合實現層數翻倍——這意味著單位產品所需的300mm半導體硅片數量直接翻倍。更嚴峻的是，先進刻蝕設備的精度要求、更長工藝時間帶來的良率風險、以及每代新工藝動輒數十億美元的研發投入，讓"逐代替代"模式的投資回報率持續惡化。

"今后將采取雙軸發展戰略。滿足尖端應用的高級需求保持最佳投資效率的同時，開發并向市場推出具有競爭力的產品。"鎧俠將"投資效率"與"技術性能"并列為戰略軸心，原因是單純堆疊層數，正面臨性能、成本、良率的"不可能三角"。

這不是鎧俠一家之困。2025年，三星因良率問題推遲286層V9量產，美光在232層節點徘徊數年后才躍升至276層，行業集體陷入"高投入、高風險、高不確定性"的泥沼。層數競賽的盡頭，可能不是技術的勝利。

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雙軸戰略：技術模塊化的商業實驗

鎧俠的解法，是將技術迭代從"單軸線性"轉向"雙軸并行"。這一戰略在CFMS 2026上，鎧俠通過演講、展臺展示以及在媒體采訪等多種方式呈現。

第一軸：BiCS 10——層數競賽的"守正"。第十代BiCS FLASH?追求存儲密度和性能的全新突破，通過層數和架構大幅優化，滿足AI數據中心對低延遲、高性能和超大容量的需求。這是傳統路線的延續，但鎧俠為其注入了新的技術內涵——采用CBA（CMOS Bonded Array）技術，將存儲陣列與CMOS控制電路分離制造后鍵合，既解決了高層數帶來的電路復雜度問題，又為"技術模塊化"埋下伏筆。

第二軸：BiCS 9——投資效率的"出奇"。這是雙軸戰略的真正創新所在。第九代BiCS FLASH?不追求最高層數，而是"利用成熟的產能和先進的接口融合，提供可靠、穩定供貨的存儲解決方案"。具體而言，它采用成熟的存儲單元技術，但搭配最新一代的CMOS邏輯電路，通過"舊瓶裝新酒"的組合，在折舊產線上生產具備競爭力的新品。

這種"技術模塊化"思維，徹底打破了"新代際必須全面替代舊代際"的行業慣例。三代產品將長期并行，各自瞄準不同的需求切片：BiCS 10服務追求極致性能的數據中心，BiCS 9滿足性價比敏感的企業級存儲，BiCS 8則是當下的明星產品，廣受消費級和企業級市場好評。

更具深意的是，這種架構為"投資效率"提供了數學上的最優解。先進CMOS工藝的研發成本呈指數級攀升，但存儲陣列的制程演進相對緩慢。通過CBA技術將二者解耦，鎧俠可以用最新CMOS提升性能，同時用成熟存儲陣列控制成本——這不是妥協，而是對"摩爾定律失速"的精準對沖。

展會上，這一戰略已轉化為具體的產品矩陣。基于第八代BiCS FLASH QLC的LC9系列SSD，通過32 Die堆疊封裝實現了245.76TB的業界領先容量；而即將推出的BiCS 10產品，則將瞄準AI數據中心對低延遲的苛刻需求。兩代技術，兩種定位，共同構成鎧俠對企業級市場的全覆蓋。

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從"后備倉庫"到"算力加速器"：雙軸戰略的產品落地

雙軸戰略的顛覆性，不僅在于技術路線，更在于其對存儲角色定位的重新定義。在CFMS 2026的主題演講中，鎧俠SSD首席技術執行官福田浩一提出了一個鮮明判斷："AI算力不斷升級，NAND已經成為提升AI算力的關鍵部件。"

這一判斷正在轉化為產品現實。展會期間，鎧俠發布了Super High IOPS SSD——GP系列，基于XL-FLASH打造，符合NVIDIA Storage-Next需求場景，以1億IOPS以上的表現，滿足未來對速度更為苛刻的AI計算需求。評委會的頒獎詞極具象征意義："當GPU直連閃存成為現實，鎧俠依托XL-FLASH存儲類內存技術，讓SSD成為HBM的容量擴展載體，引領閃存產品從AI數據'后備倉庫'走向AI算力的加速器。"

這一轉變的核心，是對AI推理存儲需求的精準捕捉。傳統AI架構中，存儲是GPU的"緩存附庸"；但在長上下文（Long Context）技術崛起的今天，KV Cache（鍵值緩存）數據量呈指數級膨脹，HBM和DRAM的容量已"大到放不下"。鎧俠發布的CM9 CMX產品，正是瞄準這一痛點——針對AI工作負載優化，具備高性能、大容量和更好的耐久性，適用于AI的大規模推理環境。

更具戰略意味的是AiSAQ開源軟件技術。這項技術并非實體硬件，而是針對向量數據庫和RAG場景優化的算法庫，通過創新的數據布局算法，將傳統上必須加載到昂貴DRAM中的向量索引數據，高效存儲于SSD中。目前鎧俠AiSAQ已經與NVIDIA cuVS展開合作，探索GPU加速索引構建和超大規模RAG解決方案的更多可能。

從GP系列的"算力加速器"，到CM9 CMX的"KV Cache擴展"，再到AiSAQ?的"算法層創新"，鎧俠正在構建一個完整的AI存儲生態。而這一生態的硬件基礎，正是雙軸戰略提供的靈活技術供給——BiCS 10支撐極致性能需求，BiCS 9幫助企業提高投資效率，兩代技術共同服務于AI時代的多元化場景。

雙軸戰略的深層邏輯，還體現在鎧俠的供應策略上。

當前存儲市場正處于"十年一遇"的賣方市場。AI數據中心需求爆發，導致企業級存儲價格漲幅遠超消費級，大量產能被轉向數據中心建設，消費級產品供應緊俏。在這一背景下，行業普遍存在"押注單一應用"的沖動——將資源極端集中于高溢價的數據中心市場，獲取短期利潤最大化。

但鎧俠選擇了克制。"鎧俠不會將重點放在一個極端的應用上，而是在生產和銷售產品時考慮到整體平衡。"這一表述在媒體采訪中被反復強調。雙軸并行的架構，為這種平衡提供了制度性保障：BiCS 9的"成熟產能"可以靈活調配，既滿足數據中心的需求增長，又不放棄消費電子市場的長期根基。

這種克制源于對技術生命周期的深刻理解。三代產品并行的架構，使鎧俠能夠"根據市場增長情況增加產量，并通過監測應用需求趨勢和平衡來優化銷售組合"。

更具前瞻性的是對端側AI的布局。鎧俠在展會上展示了UFS 5.0產品線，理論有效連續讀寫帶寬達到10.8 GB/s，首次讓UFS產品跨入10 GB/s時代。高管預判："隨著LLM的發展，UFS需要快速的順序讀取性能。我們預計UFS 5.0將從今年開始逐步采用。"這一布局暗示，雙軸戰略不僅覆蓋企業級市場，也為消費級市場的AI化升級預留了技術空間。

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鎧俠的雙軸戰略，本質上是一場關于"技術進步"的重新定義。

在存儲行業的黃金年代，"進步"是線性的：層數增加、密度提升、成本下降，一切都可以用數字量化。但當物理極限逼近、投資回報率惡化、需求結構分化，這種線性進步觀正在失效。

"比特密度的提升、CMOS技術的進步、功耗的優化，這些技術的融合才是關鍵。"NAND性能提升，不再是單一指標的極致，而是多維度約束下的最優解；不再是代際間的替代，而是代際間的共存與協同；不再是技術的自我實現，而是技術與商業的動態平衡。

CFMS 2026的展臺上，三枚晶圓并列陳列的畫面，成為這一新進步觀的視覺隱喻。它們不是新舊交替的見證，而是多元共生的宣言。在摩爾定律失速的時代，架構定義權正在取代制程領先性，成為競爭的核心。

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