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4月9日消息，據外媒報道，中國存儲芯片制造商已啟動12層高帶寬內存HBM的大規模生產！
12層堆疊技術的落地，讓國產存儲廠商具備了進入最高端AI硬件生產領域的能力。中國存儲廠商與韓國頭部企業自產業發展初期就存在的技術差距，正在顯著縮小。
分析指出，HBM是AI GPU不可或缺的核心配套芯片，當前市場主要由SK海力士、三星等韓國企業主導。國產存儲若實現12層HBM量產，將填補國產HBM空白，直接利好上游半導體設備環節。面對外部供應不確定性，國內存儲廠擴產將加速推進設備國產化進程；HBM等高附加值產品量產，有助于提升國內晶圓廠資本開支意愿，為設備企業帶來持續訂單預期。
產業人士表示，三星電子、SK海力士常年主導全球HBM市場，目前國產存儲與兩家韓系龍頭的制造能力差距，已經縮短至不到三年。
報道顯示，國產存儲公司將DRAM總產能的約20%全部投入HBM制造，完成產能轉型后，其HBM月晶圓產能可達6萬片。目前生產良率仍低于韓國競爭對手，其現階段核心目標是全面滿足國內AI產品的市場需求，同時為未來進軍國際市場做戰略布局。
國產存儲12層HBM產品的落地，給三星、SK海力士等市場頭部企業帶來了越來越大的競爭壓力。后者必須加速推進更先進的制造技術，才能維持行業領導地位。
產業專家預測，全球存儲產業競爭的下一階段，將聚焦16層堆疊與混合鍵合技術的研發與落地。
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