山東
近日，中天晶科宣布，繼8英寸碳化硅晶體后，公司已成功突破12英寸碳化硅單晶生長技術。
來源：中天晶科
回顧技術攻堅歷程，2022年10月，中天晶科首塊8英寸碳化硅晶體成功問世；歷經(jīng)三年技術深耕，2025年3月，公司首塊12英寸碳化硅晶體成功出爐，實現(xiàn)大尺寸碳化硅材料的跨越式升級。
碳化硅是新能源汽車、5G通信、軌道交通等國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關鍵基礎材料。近年來，隨著新能源汽車、光伏儲能等清潔能源、5G通訊及高壓智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，滿足高功率、高電壓、高頻率等工作條件的碳化硅基器件的需求也突破式增長。同時，人工智能、AR眼鏡等新興領域的崛起，進一步凸顯了碳化硅高頻、高功率、耐高溫的性能優(yōu)勢，為碳化硅材料開辟了新的應用賽道，市場需求持續(xù)擴容。
碳化硅襯底作為第三代半導體的基石，其尺寸與品質直接決定了產(chǎn)業(yè)鏈的性能上限與成本空間。尺寸越大，單片晶圓可產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多，降本增效效果越顯著。12英寸碳化硅襯底材料，能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量。在同等生產(chǎn)條件下，既能提升產(chǎn)能規(guī)模，又能降低單位芯片成本，提升產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟效益，為碳化硅材料規(guī)?；?、普及化應用筑牢基礎。
當前全球碳化硅市場中，6英寸產(chǎn)品仍為商用主流，8英寸產(chǎn)品正加速產(chǎn)業(yè)化落地。在此背景下，12英寸碳化硅晶體的集中技術突破，標志著全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)邁入關鍵轉型節(jié)點。此前，天岳先進、晶盛機電、晶越半導體、天成半導體、科友半導體、合盛硅業(yè)、南砂晶圓、環(huán)球晶圓、爍科晶體等多家行業(yè)企業(yè)，已相繼宣布在12英寸碳化硅單晶、襯底研發(fā)領域取得重大進展。
據(jù)悉，中天晶科寧波晶體材料有限公司（CECS）成立于2019年11月，由華達半導體有限公司（中國電子集團子公司）投資設立，注冊資本為4.7億元人民幣，致力于寬帶隙半導體材料的開發(fā)與生產(chǎn)。公司主要專注于大型高性能碳化硅材料和外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品廣泛應用于電動汽車、新能源、柔性電網(wǎng)、工業(yè)設備、家用消費電子設備及其他領域。
來源：中天晶科
值得關注的是，晶圓尺寸擴容會導致晶體內(nèi)部應力控制與缺陷管理難度呈幾何級上升，這是全球碳化硅領域共同面臨的技術難題。中天晶科研發(fā)團隊歷經(jīng)多輪嚴苛技術攻關，成功突破大尺寸晶體生長核心壁壘。此次12英寸碳化硅晶體研發(fā)成功，依托公司核心設備自主研發(fā)+工藝技術持續(xù)創(chuàng)新雙輪驅動模式，通過自主設計制造專用長晶設備，實現(xiàn)設備與工藝深度適配，為大尺寸晶體穩(wěn)定、高質量生長提供了堅實技術保障。
參考來源：中天晶科
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