浙江
三星正研發專門面向智能手機和平板電腦的高帶寬內存（HBM），并計劃通過復雜封裝技術，將這些移動終端打造成強大的本地 AI 計算平臺。目前 HBM 主要部署在服務器和數據中心領域，而三星希望借助這一高性能 DRAM 形態，進一步放大在 AI 浪潮下的利潤空間，不錯過任何潛在市場。
報道指出，三星此次目標是開發適配移動設備的 HBM 技術，在不顯著增加空間占用和功耗負擔的前提下，大幅提升算力與帶寬，從而支撐更復雜的端側 AI 推理任務。相較之下，現有移動 DRAM 仍以銅線鍵合為主，其 I/O 端子通常在 128 至 256 區間，受限的引腳規模在提升帶寬、降低信號損耗和熱量方面存在明顯瓶頸。
為解決這一問題，三星計劃在智能手機與平板中引入“超高縱橫比銅柱”配合扇出型晶圓級封裝（Fan-Out Wafer Level Packaging，FOWLP），這一封裝方案此前已應用于 Exynos 2600 等系統級芯片，用以增強散熱能力并提升持續負載下的性能表現。在此基礎上，三星希望將服務器級別的 HBM 以更緊湊的形式移植到移動端，為本地 AI 模型提供更高的內存帶寬與數據吞吐能力。
報道援引消息稱，通過在垂直銅柱堆棧（Vertical Copper Post Stack，VCS）領域的進展，三星能夠在有限空間內以“階梯式”結構堆疊多層 DRAM 裸片，再利用銅柱填充其中的空隙，從而在體積受限的移動設備中實現多層 HBM 封裝。與傳統方案相比，三星已經將 VCS 封裝中銅柱的縱橫比從原來的 3–5:1 提升至 15–20:1，這一變化顯著提高了整體帶寬表現。
不過，這種高縱橫比設計也帶來了新的挑戰：隨著縱橫比的提升，銅柱直徑勢必要縮小，一旦直徑低于 10 微米，銅柱可能發生彎曲甚至斷裂，影響結構可靠性。為此，FOWLP 在結構上通過將銅布線向外擴展，提供了額外的機械支撐，以提升整體封裝的穩定性，同時也擴大了可用 I/O 端子數量，從而進一步提升帶寬，報道估計帶寬增幅可達約 30%。
目前尚不清楚三星為移動端開發的 HBM 會在何時正式商用，但從時間表推斷，這一技術有望首批搭載在未來的 Exynos 2800 或 Exynos 2900 平臺上。此前有傳聞稱，Exynos 2800 將使用三星自研 GPU，并不僅限于智能手機產品線，這使得高帶寬、高吞吐存儲子系統的重要性進一步提升。
除了三星，蘋果也被曝計劃在未來 iPhone 上采用 HBM，以改善端側 AI 體驗，但目前尚不清楚其是否會從三星采購相關技術或部件。華為方面同樣在探索將 HBM 引入智能手機的可能，不過考慮到供應鏈和地緣政治等因素，業內認為三星進入中國廠商供應體系的可能性較低。
然而，在技術路線之外，成本問題仍是決定 HBM 能否大規模落地移動終端的一道關鍵門檻。報道指出，在當前存儲器價格高企的環境下，智能手機廠商可能會更謹慎地評估在設備中加入 HBM 的經濟可行性，更多選擇觀望，待價格回落后再做布局。
在這種情況下，未來數年內，提升智能手機和平板本地 AI 能力的主要手段或仍將集中在芯片算力和存儲系統優化（例如更高性能的 LPDDR 或更快的存儲接口），而非大規模采用成本更高的 HBM。不過，一旦內存市場供需恢復平衡、價格趨于穩定，以三星為代表的廠商有望借助移動端 HBM，將高帶寬存儲從數據中心延伸至個人終端，重新定義本地 AI 的體驗上限。
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