芯片板塊午后拉升,截至14:40,上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)上漲3.8%,上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計主題指數(shù)上漲3.4%。
有觀點認(rèn)為,當(dāng)下,全球存儲芯片市場正經(jīng)歷一輪由AI算力需求引發(fā)的結(jié)構(gòu)性漲價,本輪漲價的底層邏輯是人工智能對存儲資源的系統(tǒng)性“虹吸”疊加供給端產(chǎn)能調(diào)整形成的雙重擠壓。
從價格走勢看,本輪漲價的幅度與速度均超出市場預(yù)期。TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2026年第二季度通用型DRAM合約價格預(yù)計環(huán)比上漲58%至63%,NAND閃存合約價格環(huán)比上漲70%至75%。而在2026年第一季度,DRAM合約價漲幅已被上修至90%至95%,NAND漲幅被上修至55%至60%。機構(gòu)普遍認(rèn)為,AI算力需求拉動、國產(chǎn)化率提升與價格上漲形成共振,為存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)帶來了投資機遇。
科創(chuàng)芯片ETF易方達(589130,聯(lián)接A/C:020670/020671)跟蹤上證科創(chuàng)板芯片指數(shù),全面覆蓋科創(chuàng)板芯片產(chǎn)業(yè)鏈;科創(chuàng)芯片設(shè)計ETF易方達(589030)跟蹤上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計主題指數(shù),數(shù)字芯片設(shè)計和模擬芯片設(shè)計合計占比近95%,更直接受益于AI芯片需求爆發(fā),助力投資者把握此輪漲價潮下芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資機會。
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