全球能造5nm、3nm這種先進(jìn)制程芯片的廠商,滿打滿算就臺(tái)積電、三星、英特爾這三家。臺(tái)積電是最強(qiáng)的那個(gè),3nm已經(jīng)量產(chǎn)很久了,2nm也在穩(wěn)步推進(jìn)。三星雖然搶先用了新架構(gòu),但良率一直被詬病。英特爾則在押注自己的18A工藝,想打翻身仗。
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再看我國大陸這邊,最強(qiáng)的就是中芯國際了。2025年中芯國際的營(yíng)收創(chuàng)了歷史新高,產(chǎn)能利用率也達(dá)到了93.5%,日子過得不錯(cuò)。技術(shù)上,它的等效7nm工藝已經(jīng)很成熟了,華為Mate 80系列用的麒麟9030芯片,就是中芯國際造的。要知道,中芯國際并沒有最先進(jìn)的EUV光刻機(jī),硬是靠DUV光刻機(jī)多重曝光,把工藝推到了7nm級(jí)別,這已經(jīng)很了不起了。
不過也就到這了,等效7nm基本是目前公開信息能看到的極限,再往下走,困難非常大。所以單從制造工藝本身來看,2026年內(nèi)大陸廠商獨(dú)立做出等效5nm芯片,概率很低。
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一、5nm卡在哪了?光刻機(jī)是硬傷
為什么止步于7nm?原因很簡(jiǎn)單,最關(guān)鍵的設(shè)備EUV光刻機(jī)買不到。中芯國際的工程師們用DUV光刻機(jī),通過多重曝光技術(shù)硬是把工藝做到了極限,但這就像用粗筆畫細(xì)線,費(fèi)勁不說,成本還特別高。
那是不是就沒希望了?也不一定,技術(shù)發(fā)展從來不是只有一條路。傳統(tǒng)的做法是把晶體管越做越小,從7nm縮到5nm再到3nm,這叫"幾何縮微"。但當(dāng)這條路走不通的時(shí)候,能不能換一種思路?而華為最近提出的"韜定律"就是換一種思路。
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二、華為T定律的堆疊封裝,用7nm的底子做出5nm的效果
芯片性能歸根結(jié)底看什么?看信號(hào)跑得快不快。傳統(tǒng)思路是縮小晶體管,但如果你能把路修短、修直,信號(hào)跑得一樣快,甚至更快。換句話說,提升性能不一定非要靠把晶體管做小,還有很多別的辦法。
這個(gè)"別的辦法"是什么呢?核心就是華為T定律的邏輯堆疊。打個(gè)比方,以前的芯片是"平房",所有晶體管都鋪在同一層,信號(hào)從這頭跑到那頭,路線很長(zhǎng)。邏輯堆疊就是"蓋樓",把關(guān)鍵的電路在垂直方向上分層堆起來,信號(hào)走的路一下子短了很多。雖然每一層用的還是7nm工藝,但整體性能卻能大幅提升。而華為計(jì)劃2026年秋季發(fā)布的下一代麒麟旗艦芯片,就打算用這個(gè)技術(shù)。
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三、寫在最后
如果按傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn),就是像臺(tái)積電那樣用全新工藝從底層做出5nm級(jí)別的晶體管,那短期內(nèi)還不行,光刻機(jī)的限制擺在那里。但如果換一種理解,通過架構(gòu)創(chuàng)新和封裝技術(shù),在整體性能上達(dá)到甚至接近5nm的水平,那就很有戲了。華為有設(shè)計(jì)能力和"韜定律"的方法論,中芯國際有成熟的7nm制造能力,兩家聯(lián)手,用7nm的底子做出5nm級(jí)性能的芯片,2026年大概率能實(shí)現(xiàn)。
說白了,這是一條彎道超車的路。別人靠發(fā)動(dòng)機(jī)好跑得快,咱們靠調(diào)校底盤、優(yōu)化傳動(dòng)也能追上來。不一定要完全復(fù)制別人的路線,走出自己的路,可能反而更穩(wěn)。
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