在電源系統(tǒng)持續(xù)演進(jìn)的過程中,功率密度始終是最核心的驅(qū)動(dòng)力。圍繞這一目標(biāo),行業(yè)不斷引入新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、第三代半導(dǎo)體器件,并通過更高集成度的封裝技術(shù),將電源系統(tǒng)壓縮至更小體積。然而,還有一個(gè)長期存在的約束,即電源中的磁性器件,包括電感和變壓器。
與電感不同,變壓器不僅承擔(dān)能量傳輸功能,更關(guān)鍵的是實(shí)現(xiàn)原副邊之間的電氣隔離。這一特性決定了其在設(shè)計(jì)中必須滿足絕緣強(qiáng)度、爬電距離以及長期可靠性等多重要求,也使其難以像半導(dǎo)體器件一樣簡單通過縮放實(shí)現(xiàn)小型化。因此,在很長一段時(shí)間內(nèi),隔離電源成為系統(tǒng)中較難進(jìn)一步壓縮的產(chǎn)品。
在這一背景下,德州儀器(TI)在 APEC 上推出的 IsoShield技術(shù),試圖從封裝層面解決這一難題。
電源模塊正在成為主流實(shí)現(xiàn)方式
相比傳統(tǒng)分立方案,電源模塊顯著降低了設(shè)計(jì)與部署復(fù)雜度。
德州儀器電源設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)系統(tǒng)經(jīng)理冀玉丕表示,電源模塊就是把功率器件、變壓器、電感器以及周邊控制所需要的器件集成在一個(gè)封裝之內(nèi),節(jié)省整個(gè)布板空間,提供更高的功率密度。其高效率和小尺寸特性,非常適合空間尺寸緊湊的方案中。
這種集成不僅局限在硅上面,同時(shí)封裝技術(shù)的提升也能提高功率密度。如果從電源系統(tǒng)整體演進(jìn)來看,集成并非單一路徑,而是沿著不同應(yīng)用需求形成了兩條并行發(fā)展的方向。
在非隔離電源中,TI的MagPack是最新的技術(shù),通過將電感以3D封裝方式嵌入模塊中,在縮小尺寸的同時(shí),有助于優(yōu)化電流回路與寄生參數(shù),從而改善 EMI 與效率表現(xiàn)。
而在隔離電源部分,TI一直以來就有集成線圈技術(shù),如今IsoShield則通過將平面變壓器集成至封裝內(nèi)部,在滿足隔離要求的前提下實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化。
IsoShield技術(shù)是什么
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如圖所示,以最新的IsoShield技術(shù)UCC34141-Q1為例,其本質(zhì)上是隔離式 DC/DC 結(jié)構(gòu)。其在初級側(cè)使用軟開關(guān)全橋轉(zhuǎn)換器,在次級側(cè)使用無源全橋整流器。中間的兩個(gè)小型集成平面變壓器就是IsoShield技術(shù),其中一個(gè)為功率傳輸,另外一個(gè)為次級側(cè)反饋。
通過在16.5MHz至27MHz的高開關(guān)頻率下運(yùn)行,器件得以顯著縮小磁性器件尺寸,并集成于16引腳 SSOP 封裝中。功率級開關(guān)頻率由具有前饋控制的輸入電壓決定。采用自適應(yīng)擴(kuò)頻調(diào)制 (ASSM) 來降低電磁干擾。器件會(huì)維持 ZVS 運(yùn)行以降低開關(guān)功率損耗。
UCC34141-Q1 器件適用于布板空間有限且需要更多集成的應(yīng)用。器件具有低厚度、低重心和輕重量特性,與使用大型大體積變壓器的系統(tǒng)相比,可提供更好的機(jī)械可靠性與抗振性能。
UCC34141-Q1采用了專用控制機(jī)制、時(shí)鐘方案和片上變壓器帶來了高效率和低輻射發(fā)射。集成變壓器可在寬溫度范圍內(nèi)提供電力輸送,同時(shí)保持 5000VRMS 隔離和 1202VRMS 連續(xù)工作電壓。變壓器的低隔離電容可提供高 CMTI,從而實(shí)現(xiàn)快速 dv/dt 開關(guān)和更高的開關(guān)頻率,同時(shí)降低噪聲。
UCC14240是TI較早推出的隔離電源產(chǎn)品,冀玉丕表示,目前最新一代的IsoShield,改進(jìn)了原邊及副邊的功率器件,以及平面變壓器技術(shù)。同時(shí)在操作頻率上,IsoShield操作開關(guān)頻率超過20MHz,可極大地減少了磁性器件的要求。
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如圖所示,此為UCC14240內(nèi)部原理圖,基本原理一致,不過最新的IsoShield通過一系列改進(jìn),使得尺寸更小、更薄同時(shí)隔離性能也更強(qiáng)。(UCC34141-Q1為5.85mm × 7.50mm封裝尺寸,UCC14240為12.8 x 10.3)
相比分立方案,尺寸最多可縮小70%。
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目前TI的集成變壓器隔離電源產(chǎn)品組合
偏置電源:從輔助模塊到關(guān)鍵約束
TI的隔離電源模塊主要為牽引逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電器 (OBC)、服務(wù)器通信電源整流器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或其他高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中 SiC 或 IGBT 功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器供電。雖然這一部分在系統(tǒng)中功率不高,但其重要性正隨著系統(tǒng)電壓與開關(guān)速度的提升而不斷增強(qiáng)。
偏置電源需要為柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器及傳感器提供穩(wěn)定供電,其性能直接影響功率器件的開關(guān)行為。在高壓系統(tǒng)中,尤其是采用 SiC 與 GaN 器件時(shí),偏置電源不僅需要具備更高隔離能力,還需要在高 dv/dt 環(huán)境下保持穩(wěn)定,這對其 CMTI 提出了更高要求。
從技術(shù)路徑來看,常用的拓?fù)浒ǚ醇な健⑼仆焓健LC 諧振和集成變壓器模塊,每種拓?fù)涠季哂刑囟ǖ膬?yōu)勢,但同時(shí)也存在各種權(quán)衡和挑戰(zhàn)。拓?fù)涞倪x擇在很大程度上取決于隔離式輔助電源的整體架構(gòu)。不同的 Si、SiC、GaN、IGBT 開關(guān)需要不同的輸入電壓范圍來提供柵源電壓。
另外,還有一類偏置電源是高壓隔離式偏置電源,主要功能是在低電壓軌失效的情況下提供冗余配置,提升系統(tǒng)的功能安全。
TI擁有全套的隔離偏置電源方案,包括低壓主偏置以及高壓冗余偏置。
冀玉丕詳解了TI在低壓隔離偏置上的演進(jìn)。
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如圖所示,包括最早的UCC2803反激DC/DC,再到UCC25800 LLC拓?fù)洌约爸蟮腢CC14240和如今UCC34141集成變壓器的隔離DC/DC電源模塊,整個(gè)系統(tǒng)BOM數(shù)量、尺寸、高度、重量都是不斷縮小。
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當(dāng)然受到尺寸所限,功率只有1.5W-2W之間,因此只適合分布式架構(gòu),而UCC25800等大功率電源方案可應(yīng)用于半分布式架構(gòu),而對于集中式方案,TI也有相應(yīng)的解決方案。
同樣,對于高壓冗余隔離偏置電源,TI也提供了拓?fù)浼敖鉀Q方案。
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高壓冗余隔離偏置電源
在決定要使用哪種類型的架構(gòu)和拓?fù)鋾r(shí),設(shè)計(jì)復(fù)雜性、功能安全要求和成本是主要考量因素,需要客戶根據(jù)自己實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行選擇。
高壓、高密度與高隔離的共同需求
從應(yīng)用角度來看,無論是電動(dòng)汽車還是數(shù)據(jù)中心,隔離電源的需求都在同步增強(qiáng)。
在電動(dòng)汽車中,OBC、高壓DC/DC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池系統(tǒng)的功率器件均需要偏置電源。隨著系統(tǒng)向更高電壓等級與更高開關(guān)頻率發(fā)展,對偏置電源的小型化、隔離能力以及抗干擾能力提出更高要求。IsoShield 所提供的高集成度方案,有助于降低系統(tǒng)體積與重量,并提升整體效率。
在數(shù)據(jù)中心中,隨著 AI 算力需求增長,電源系統(tǒng)正向更高功率密度與更高電壓架構(gòu)(如800V)演進(jìn),AC/DC與DC/DC都在邁向高電壓軌,同時(shí)包括熱插拔等系統(tǒng)也在朝向高壓演進(jìn),隔離電源同樣不可或缺。
尤其是隨著第三代半導(dǎo)體在這些功率變換應(yīng)用中的需求越來越高,需要偏置電源提供更強(qiáng)的CMTI及EMI性能,確保系統(tǒng)穩(wěn)定性。
不斷突破電源功率密度
從電感集成到變壓器集成,TI正在不斷推動(dòng)電源功率密度提升,將原本依賴板級實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵功能進(jìn)一步向封裝內(nèi)部收斂,從模塊走向更高集成度,甚至逐步接近芯片化的實(shí)現(xiàn)形態(tài)。
正如TI 高壓產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示:“封裝創(chuàng)新正在革新電源行業(yè),而電源模塊正處于這場變革的前沿。”
來源:電子工程世界(EEWorld) 作者:冀凱
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