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4月14日消息,據韓媒報道,三星晶圓代工已將 4nm 制程工藝的 HBM4 內存基礎裸片 (Base Die) 報價上調 40~50%,這將推高存儲器業務的 HBM 制造整體成本。
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據報道,自2026年初以來,隨著HBM4出貨量快速上升,三星開始上調4nm基礎裸片的價格,已上漲了40%至50%,表明其半導體產品線的定價趨于正常化。與此同時,三星4nm生產線已接近滿負荷運轉,晶圓代工業務整體盈利能力呈現漸進改善的趨勢。
三星4nm工藝良品率的提升及性能的穩定性,已開始反映在今年的HBM4上。三星已經為接下來的HBM4E準備了相同工藝的基礎裸片,計劃今年內投入生產。傳聞三星還打算在HBM4E中引入2nm工藝制造基礎裸片,提高能效、散熱管理和面積利用率,進一步擴大競爭優勢。
過去幾個月里,得益于良品率的提升,三星的晶圓代工業務有抬升的趨勢。三星也為晶圓代工業務設定了新目標,希望兩年內實現盈利,并占據20%的市場份額。今年年初,三星晶圓廠的整體產能利用率已提高至60%,預計很快會達到80%的收支平衡線。
有消息稱,三星的晶圓代工業務可能在今年第四季度實現盈利,明年會迎來更明顯的改善周期。此外,伴隨4/5nm工藝的訂單量提升,三星在2025年第四季度還通知客戶,將提高4/5nm的代工價格。
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