浙江
武漢近日發(fā)布2026年重大項目規(guī)劃，380億美元（約合人民幣2600億元）存儲半導(dǎo)體擴產(chǎn)計劃宣告落地。
擴產(chǎn)以長江存儲與武漢新芯為雙核心，主攻3D NAND與DRAM兩大方向。長江存儲三期廠房已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，預(yù)計2026年底投入量產(chǎn)，2027年達(dá)成月產(chǎn)能5萬片的階段性目標(biāo)。
長江存儲三座新廠全面達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能較現(xiàn)有水平提升超過100%，出貨量有望超越SK海力士和美光，劍指全球NAND閃存第三席位，僅次于三星和鎧俠。
武漢新芯同步推進(jìn)三期擴產(chǎn)，總投資280億元。武漢新芯深耕NOR Flash特色工藝，是國內(nèi)規(guī)模最大的NOR Flash芯片制造廠商，目前擁有兩座12英寸晶圓廠，每座月產(chǎn)能超3萬片。
產(chǎn)能翻番的背后，是AI算力對存儲芯片的需求加大。TrendForce最新數(shù)據(jù)顯示，單臺AI服務(wù)器對DRAM的需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，對NAND Flash的需求是3倍。
高盛預(yù)測2026年全球DRAM供需缺口將達(dá)4.9%，為15年來最嚴(yán)重。而原廠產(chǎn)能爬升需要12至18個月，供需缺口短期內(nèi)難以填平。
存儲芯片價格在AI需求的持續(xù)拉動下大幅上漲，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的業(yè)績同步兌現(xiàn)。其中佰維存儲2026年Q1實現(xiàn)營業(yè)收入68.14億元，同比增長341.53%；歸母凈利潤28.99億元，相當(dāng)于2025年全年凈利潤的3.3倍。
來源：快科技
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