山東
IT之家 5 月 5 日消息，據《The Elec》昨日（5 月 4 日）報道，三大內存制造商 —— 三星、SK 海力士和美光正在加速 DDR6 內存的開發。這項新技術預計將進一步提升 DDR5 標準的性能，并在各個方面提供改進。
報道稱，盡管 JEDEC 標準尚未最終確定，但這些內存制造商已經要求基板供應商準備設計，目標是準備測試樣品，以便在 DDR6 接近大規模生產之前做好準備。
一位來自基板行業的人士表示：“內存公司和基板制造商通常在產品推出前兩年以上進行聯合開發。DDR6 的初步開發最近才剛剛開始?！?/p>
報道提到，DDR6 預計將比 DDR5 帶來大幅速度提升。早前的 JEDEC 路線圖信息顯示，DDR6 速度最高可達 17.6 Gbps，大約是 DDR5 計劃上限的兩倍。商用 DDR6 內存目前預計將在 2028 年至 2029 年左右推出。
IT之家注意到，JEDEC 已在去年發布了 LPDDR6 標準，計劃為 LPDDR6 提供位寬減半的 x6 子通道模式，允許在單一封裝中集成更多內存裸片，LPDDR6 也有望實現 512GB 系統內存容量。
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