北京
【CNMO科技消息】據外媒最新消息，三星正積極推進適用于移動設備的高帶寬內存技術研發，旨在不顯著增加空間占用和功耗負擔的前提下，大幅提升設備算力與數據傳輸帶寬，為更復雜的端側AI推理任務提供硬件支持。
三星HBM
目前移動設備普遍采用的DRAM技術仍以銅線鍵合為主，其I/O端子數量通常在128至256之間，在提升帶寬、降低信號損耗和控制發熱方面存在明顯局限。
為突破這一技術瓶頸，三星計劃在智能手機與平板產品中引入超高縱橫比銅柱配合扇出型晶圓級封裝技術。該封裝方案此前已在Exynos 2600等系統級芯片中得到應用，主要用于增強散熱能力和提升持續負載下的性能表現。在此基礎上，三星希望將原本應用于服務器領域的高帶寬內存技術以更緊湊的形式移植到移動終端，為本地AI模型運行提供更高的內存帶寬與數據吞吐能力。
技術資料顯示，三星通過在垂直銅柱堆棧領域的持續研發，已能夠在有限空間內采用階梯式結構堆疊多層DRAM裸片，并利用銅柱填充層間空隙，從而在體積受限的移動設備中實現多層高帶寬內存封裝。與傳統方案相比，三星已將垂直銅柱封裝中銅柱的縱橫比從原來的3至5比1提升至15至20比1，這一技術突破顯著提高了整體帶寬表現。
不過，高縱橫比設計也帶來了新的技術挑戰。隨著縱橫比的提升，銅柱直徑必須相應縮小，一旦直徑低于10微米，銅柱可能出現彎曲甚至斷裂，影響結構可靠性。為此，扇出型晶圓級封裝技術通過將銅布線向外擴展，提供了額外的機械支撐，既提升了整體封裝的穩定性，也擴大了可用I/O端子數量，進一步提升帶寬，預計帶寬增幅可達約30%。
目前尚不清楚三星為移動端開發的高帶寬內存技術何時正式商用，但從產品規劃推斷，這一技術有望首批搭載在未來的Exynos 2800或Exynos 2900移動平臺上。除三星外，蘋果也被曝計劃在未來iPhone產品中采用高帶寬內存技術以改善端側AI體驗。
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