湖北
近日，英特爾首席執行官陳立武證實，該公司已正式啟動10A與7A先進制程制程的研發工作，這兩代工藝將在未來十年內依次接替當前的18A制程與下一代14A制程，成為公司新一代主力生產工藝。
陳立武在摩根大通全球科技、媒體與通信大會上表示：“目前我們已經啟動10A、7A制程以及整體技術路線圖的規劃布局。市場合作方不會盲目選擇合作對象，他們更看重合作企業未來的技術發展藍圖，因此我們立志布局長期業務。”
英特爾14A制程（對應約1.4nm級別）采用RibbonFET 2晶體管架構和PowerDirect（PowerVia第二代）背面供電技術，相比傳統正面供電方案，該技術可顯著降低IR壓降、提升信號布線效率，尤其適合高性能數據中心和AI處理器。
預計，10A 和 7A制程預計均將搭載阿斯麥（ASML）的高數值孔徑極紫外光刻（高NA EUV）機，有望在關鍵工藝層實現單次曝光，從而大幅降低多重圖案化的復雜度與生產成本，另外，該設備將率先應用于14A制程。
針對14A制程的推進進度，陳立武進一步表示，今年第一季度已正式推出14A制程0.5版工藝設計套件（PDK），合作方可借助該套件制作測試芯片，全面核驗良率水平，并逐步推進產品自研與聯合流片工作。
0.9版工藝設計套件作為行業合作的核心關鍵版本，被業內稱作“圣杯”版本，計劃于2026年10月正式向外部客戶交付，內部客戶將提前獲得該版本。此舉旨在全面完善14A制程的工藝流程、精準校準技術標準，保障后續量產產品品質穩定達標。
陳立武進一步透露，目前已有多家行業頭部客戶對14A制程表達明確合作意向，不過英特爾出于客戶保密原則，暫未對外公布具體合作客戶名單。在14A制程的規劃進度方面，英特爾明確預計2028年開啟風險試產，2029年正式實現大規模量產，這一時間節點與臺積電A14制程的大規模量產時間大致相近。
綜上所述，英特爾正以清晰的路線圖與堅定的技術投入，穩步推進從14A到10A、7A的跨代布局。依托RibbonFET 2晶體管架構、PowerDirect背面供電技術以及高NA EUV光刻機等關鍵創新，公司力圖在未來十年內在先進制程領域重塑競爭力，扭轉頹勢。
小編將在第一時間分享更多相關最新動態和爆料，敬請關注。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
