預計人工智能基礎設施的加速部署將使HBM需求在2026年和2027年保持強勁增長。

自2025年下半年以來，傳統(tǒng)DRAM價格的急劇上漲反映出供需環(huán)境日益緊張。然而，TrendForce的最新研究顯示，三大HBM供應商采用的年度定價機制，使得合同價格無法及時充分地反映季度市場價格的上漲。

隨著市場進入2026年第二季度，買家和供應商之間的談判已轉向 2027年HBM4供應協(xié)議，預計這將成為市場的主流項目。

根據(jù) TrendForce 對 HBM 和傳統(tǒng) DRAM 單晶圓收入的分析（使用芯片尺寸、良率和每 Gb 價格估算），2026 年第一季度 HBM 晶圓收入被 DDR5 64GB RDIMM 超越。這導致自 2026 年第一季度以來，HBM 的盈利能力也低于 DDR5 64GB RDIMM。

因此，供應商預計將根據(jù)HBM的價格走勢調(diào)整HBM和傳統(tǒng)DRAM的生產(chǎn)分配。這將確保HBM繼續(xù)作為支撐AI訓練和推理基礎設施的核心內(nèi)存組件。這種動態(tài)變化預計還將推動整個AI生態(tài)系統(tǒng)（包括RDIMM、服務器LPDDR和邊緣設備中使用的傳統(tǒng)DRAM）的更廣泛需求。

人工智能專用集成電路（AI ASIC）將在2026年推動HBM需求增長；Rubin Ultra和人工智能專用集成電路（AI ASIC）將在2027年進一步加速需求增長。

預計人工智能基礎設施的加速部署將使 HBM 需求在 2026 年和 2027 年保持強勁增長，盡管這兩年的主要需求驅(qū)動因素會有所不同。

2026年，HBM需求增長將主要由AI ASIC產(chǎn)能升級驅(qū)動，每顆AI芯片的HBM容量將從96GB/192GB大幅提升至216GB/288GB。盡管NVIDIA Rubin平臺每顆GPU的HBM容量預計與上一代產(chǎn)品相近，但更高的出貨量將繼續(xù)推高整體需求。

預計到 2027 年，NVIDIA 的 Rubin Ultra 平臺將進一步提升每顆 GPU 的 HBM 容量至 384GB。與此同時，諸如 Google TPU 等 AI ASIC 平臺預計將隨著部署量的增加而進一步推高對 HBM 位的需求。

TrendForce 預計，到2025年底、2026年底和2027年底，三大供應商的HBM晶圓投入量將分別占DRAM晶圓總投入量的約18%、22%和30%。同時，同期HBM位供應量預計將分別占DRAM位總供應量的約8%、9%和13%。

總體而言，隨著HBM技術在2027年不斷發(fā)展，芯片尺寸增大，需求也隨之增長，傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能的擠出效應預計將進一步加劇。這將為供應商提高HBM價格提供強有力的理由，并增強其在明年HBM價格談判中的議價能力。

三星首次公開HBM5 模型

三星電子公開了第8代高帶寬存儲器（HBM5）的首個實物模型，展現(xiàn)出搶占下一代HBM技術制高點的意志。

三星電子首席技術官（CTO）Song Jaehyuk于2日在中國臺灣臺北舉行的“Computex 2026”三星顯示展臺接受采訪時表示，“人工智能（AI）技術并非單一技術，涵蓋存儲、封裝以及熱管理在內(nèi)的整個系統(tǒng)優(yōu)化至關重要。”他稱，“三星作為同時擁有存儲和晶圓代工（半導體委托生產(chǎn)）的綜合半導體企業(yè)（Integrated Device Manufacturer），具備優(yōu)化整體系統(tǒng)的優(yōu)勢。”并表示，“將通過這一優(yōu)勢滿足包括英偉達在內(nèi)的最終客戶需求。”

三星電子此次展會首次正式公開HBM5模型，并介紹了將首次應用于HBM5的核心熱管理技術“HPB（Heat Path Block）”結構。三星電子計劃在HBM5中率先采用由自家晶圓代工2納米工藝制造的基礎裸片。

HPB是為解決提升AI存儲性能過程中可能產(chǎn)生的發(fā)熱問題而開發(fā)的技術，其設計可更高效地分散并釋放裸片與裸片之間物理表面產(chǎn)生的熱量。三星電子已基于HBM4E完成HPB技術的實現(xiàn)與驗證。今后將從HBM5開始正式應用，進一步提升性能與穩(wěn)定性。

Song Jaehyuk 表示:“在 HBM5中，為優(yōu)化基礎裸片，將引入2納米尖端工藝。公司正準備滿足市場所要求的帶寬和電力效率。自引入環(huán)繞柵極（GAA）技術以來，過去3至4年積累的研發(fā)成果正得到良好體現(xiàn)，將借此獲取差異化競爭力。”

尤其是，三星還公開了被視為下一代HBM核心技術的混合鍵合技術應用現(xiàn)狀。Song Jaehyuk表示：“混合鍵合是在無間隙狀態(tài)下直接連接的技術，能夠縮小連接焊盤間距，也更有利于提升帶寬。”他強調(diào)：“如果說現(xiàn)有的TCB屬于封裝技術，那么混合鍵合則是基于三星強項——硅工藝的技術。”

關于下一代HBM堆疊結構，他表示：“正在考慮12層、16層、20層堆疊，并正根據(jù)客戶對存儲容量提升的需求推進技術開發(fā)。”

此外，Song Jaehyuk在談及半導體微細工藝的發(fā)展方向時表示：“正在從設備、材料和生態(tài)系統(tǒng)層面推進邁向1納米以下的準備工作，認為1納米以下工藝也將成為可能。”

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