上海
花旗研究大幅上調美光科技目標價及盈利預測，認為內存市場超級周期仍在延續，價格上行動能遠超此前預期。
據追風交易臺，花旗在6月17日報告中，將美光科技目標價從840美元上調至1200美元，維持"買入"評級，調幅達43%。與此同時，團隊將美光2026財年及2027財年每股收益預測分別上調4%和10%，其中2027財年每股收益預測為114.73美元，較市場一致預期高出約4%。
此次上調的核心邏輯在于內存價格持續超預期走強。花旗預計，受數據中心需求強勁及供給受限雙重驅動，DRAM平均售價2026年全年將上漲200%，NAND平均售價同期漲幅亦達186%，價格上行趨勢料延續至2027年。截至6月19日收盤，美光股價報1133美元，新目標價較現價隱含約6%的上行空間。
美光將于6月24日公布2026財年第三季度（截至5月）業績，管理層屆時對長期供貨協議及供需展望的最新表態，將成為市場關注焦點。
近期季度預測同步上調，財年盈利展望大幅躍升
此次不僅調整全年預測，亦同步上調近期季度預估。報告將2026財年第三季度營收及每股收益預測上調6%，第四季度上調5%，第三季度每股收益同比漲幅從1025%上調至1092%，主要依據為更為樂觀的定價預期。
按最新預測，美光2026財年核心每股收益為60.73美元，2027財年進一步躍升至114.73美元，2028財年則為117.83美元。營收層面，預測美光2026財年營收達1150億美元，2027財年進一步增至1975億美元。
利潤率的擴張幅度尤為顯著，充分反映了內存價格上漲對盈利的高度杠桿效應。花旗預計美光2026財年毛利率將從2025財年的39.8%大幅擴張至76.9%，2027財年進一步升至82.9%。
現貨價格領漲，合約價格上行空間仍存
DRAM現貨市場已率先反映供需緊張態勢。數據顯示，DRAM現貨價格自今年1月初以來累計上漲52%，自4月初以來漲幅亦達22%。目前現貨價格較合約價格溢價21%，花旗認為這一價差預示合約價格仍有持續上行空間。
按季度拆分，花旗預計DRAM平均售價在2026年第二至第四季度將分別環比上漲37%、13%和11%；NAND平均售價同期各季度漲幅則預計為45%、17%和6%，受強勁需求與供應增長放緩共同支撐。
供需缺口料延續至2027年，HBM成下階段核心催化劑
花旗預計2026年全球DRAM市場供給缺口約為5%，且這一供需失衡格局將延續至2027年。報告指出，今年以來DRAM價格上漲主要集中于普通商用DRAM，而非高帶寬內存（HBM），預計HBM定價明年將進一步提升，成為下一階段價格上行的主要驅動力。
供給端方面，TrendForce預測2026年DRAM行業整體產出供給增速約為30%，美光自身產出增速預計達42%。花旗還指出，DRAM持續短缺將加速互補性NAND解決方案的采用，例如KV緩存卸載技術，這一趨勢有望同時利好純NAND標的及半導體設備股。
此外，報告特別提及Vera Rubin平臺因DRAM供給有限出現降規格現象，進一步印證了當前供給瓶頸的現實壓力。
估值折價反映高利潤率風險，長協進展受投資者關注
盡管前景樂觀，花旗將目標價設定于修正后2027日歷年每股收益的10倍，顯著低于美光歷史三年峰值估值的17倍。這一折價主要反映當前毛利率處于高位所蘊含的均值回歸風險，以及近期Vera Rubin降規格報道帶來的供給不確定性。
投資者當前關注的核心議題包括：美光更新后的2026至2027年DRAM及NAND供需展望、長期供貨協議（LTA）的簽署進展——花旗認為戴爾已完成簽約。隨著美光6月24日財報的臨近，管理層在上述議題上的最新表態將對市場預期產生直接影響。
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