記者 鄭晨燁

最近幾個交易日，股票市場上近期漲勢迅猛的科技股群體出現了快速回調。但在產業層面，2026年6月的最后一周，三家國產半導體設備公司接連公布了擴張計劃。

中微公司（688012.SH）完成了對CMP（化學機械拋光）設備企業杭州眾硅的收購，國家集成電路產業投資基金三期（大基金三期）認購了其中超過一半的配套募資份額。拓荊科技（688072.SH）公告籌劃收購無錫尚積半導體，后者主營半導體薄膜沉積與刻蝕設備，覆蓋半導體前道制造的關鍵環節。華海清科（688120.SH）敲定了37.95億元的定增方案，計劃在上海新建裝備研發制造基地。

從空白硅片到成品，芯片制造要經過光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、拋光等上百道工序，每道工序需要專用的機臺完成，這些機臺統稱半導體設備。國際半導體產業協會（SEMI）的數據顯示，中國大陸2025年半導體設備支出約為493億美元，連續六年位居全球第一，但國產設備廠商在這個市場中的份額直到最近幾年才開始明顯上升。

國金證券常務副所長、計算機行業首席分析師劉高暢認為，國產半導體設備行業目前正處于三重需求疊加的窗口期。首先，長鑫科技和長江存儲兩大存儲芯片廠商集中擴產，釋放出大量設備采購需求；其次，AI投資熱潮從GPU、HBM（高帶寬存儲器）等高端芯片向采用成熟制程制造的配套芯片傳導，拉動了成熟制程晶圓廠的產能擴張；第三，過去幾年國產設備在各工藝環節積累的驗證成果開始兌現為批量訂單。三股力量疊在一起，構成了國產半導體行業近年來確定性最強的一輪景氣周期。

工信部信息通信經濟專家委員會委員盤和林稱，AI投資熱帶動芯片擴產需求增加，在國產替代的背景下，中國半導體企業又在優先采購國產設備，多種因素正共同推動國內半導體設備行業的繁榮預期。

三股力量

頭部存儲廠商的擴產是眼下國產半導體設備企業最直接的訂單來源。長鑫科技和長江存儲是中國最大的兩家存儲芯片制造商，分別主攻DRAM（動態隨機存取存儲器）和NAND閃存（負責長期存儲數據）。

6月12日，長鑫科技獲得科創板IPO注冊批復，擬募資295億元。5月19日，長江存儲也已啟動IPO輔導。兩家公司都在擴大產能。此外，公開信息顯示，中芯國際（688981.SH/00981.HK）2026年資本開支也維持在超過80億美元的高位。

記者在采訪中了解到，長鑫科技2026年二季度已啟動新一輪設備招標，全年計劃擴產約5萬至6萬片，對應設備采購額約為350億元至430億元。長江存儲三期產線的設備安裝也已全面啟動，預計2026年底投產。兩家公司2026年合計擴產預期已從年初的10萬至12萬片（指12英寸等效晶圓的月產能）上調至15萬片。公開信息顯示，目前兩家公司共有4座新潔凈廠房在建，對應遠期年擴產空間約為40萬片。

有業內人士告訴記者，在DRAM產線的設備投資構成中，刻蝕與薄膜沉積兩類設備合計約占一半，光刻設備占比次之，量檢測設備占12%—15%。北方華創（002371.SZ）和中微公司的核心產品恰好覆蓋了刻蝕和薄膜沉積兩個最大的環節。存儲廠商在設備上每花100億元，大約會有50億元流向這兩類機臺。

這些采購當中，國產廠商拿到的份額正在快速增大。記者了解到，長鑫科技正在量產的上一代工藝平臺中的國產設備占比不足兩成，新一代平臺國產化率有望超過四成。長江存儲三期產線的國產設備采購占比已突破50%，覆蓋刻蝕、沉積、檢測等主要工序。

一位長期關注半導體設備領域的投資人稱，存儲芯片制造的標準化程度較高，設備一旦在某一代工藝平臺上通過驗證，后續擴產就可以快速復制。長鑫科技和長江存儲的大規模擴產，實際上成了國產設備從“能用”到“好用”的驗證場。

另外，國產設備廠商從存儲擴產中獲得的也不只是眼前這一輪訂單，還有客戶端驗證數據的持續積累。在上述投資人看來，按照目前的趨勢，未來每新增1萬片月產能，國產設備廠商拿到的訂單份額會比三四年前提高1倍左右。

在AI投資拉動方面，劉高暢認為，市場談論AI投資時的注意力通常集中在GPU和HBM上，但每一臺AI服務器運行還需要大量電源管理、數據傳輸、信號驅動芯片，這些芯片絕大多數采用成熟制程。在他看來，AI對芯片的需求已經從單顆芯片層面升級為整臺服務器機柜的系統級配套。

根據美國半導體行業協會（SIA）和德勤聯合發布的報告，在一個領先的AI服務器機柜中，半導體占內容價值超過95%，單機柜包含超過4500顆封裝芯片和約20000個裸片。成熟制程制造的配套芯片在其中扮演不可或缺的角色。

中芯國際聯合首席執行官趙海軍在2026年一季度業績說明會上也表示，AI服務器及配套芯片需求快速增長，中芯國際的電源管理芯片產能供不應求。另外，全球大量成熟制程產能向AI相關產品傾斜后，消費電子和物聯網客戶的訂單反而向中國大陸代工廠回流。

集邦咨詢研究經理龔明德在接受經濟觀察報采訪時稱，2026年全球九大主要云計算廠商（北美5家、中國4家）在AI領域的投入增速接近八成。在他看來，AI投資對算力的需求在未來三到五年仍將保持雙位數的復合增長率，AI和高性能計算正在成為服務器市場的新常態。

這些資本開支沿著“芯片采購—晶圓廠擴產—設備采購”的鏈條向上傳導。集邦咨詢數據顯示，2026年全球前十大晶圓代工廠平均8英寸產能利用率已回升至近90%。臺積電和三星兩家大廠2025年下半年以來還在減產8英寸產能，12英寸成熟制程近七成的擴產活動由中國大陸晶圓廠推動。

前兩股力量拉動的是整體設備需求，第三股力量決定國產設備廠商能從中分到多少。

華爾街知名投行盛博（Bernstein）在2026年5月發布的研報《中國半導體設備：2025年中國晶圓制造設備競爭格局》中估算，2025年中國本土設備廠商在華晶圓制造設備（WFE）份額從一年前的16%升至21%。2017年，這個數字只有4%。

劉高暢認為，經過四到五年的持續推進，國產設備在部分工藝環節的產品成熟度已達到較高水平，正在從逐臺驗證階段進入批量替代階段。在成熟制程產線上，國產替代的節奏已經明顯加快。

此外，華南一家大型券商的半導體行業分析師提到一個此前不太被關注的變量：由于海外設備公司產能緊張、交期拉長，部分海外的晶圓廠和封裝廠開始主動接觸國內設備公司，希望利用國內產能來支持擴產。

如果這一趨勢延續，國產設備廠商的出海進度有可能比此前預期的更快。

六大工序

一顆芯片的制造涉及上百道工序，最核心的可以歸納為六大類。每類工序對應一種或幾種專用設備，國產設備在各環節的進展差異很大。

盛博在前述研報中對各環節的國產化率做了估算：刻蝕約為31%，CMP約為39%，清洗約為29%，薄膜沉積約為27%，涂膠顯影約為6%，量檢測約為10%。至于光刻環節，盛博認為國產設備幾乎沒有實質性進展。

進口數據也顯示出了這種分化。根據海關總署數據，2026年前5個月，中國機電產品進口同比增長25.3%，整體保持強勁。但在機電產品的大盤子里，半導體設備的進口出現了結構性變化。

瑞銀（UBS）在2026年6月22日發布的研報《中國半導體設備：5月國內半導體設備進口同比下滑12%》中指出，2026年前5個月，中國半導體設備進口額約為107億美元，同比下降12%。以5月單月為例，上海和北京合計約占當月設備進口總額的七成，兩地背后是中芯國際、華虹、長鑫等多個先進邏輯芯片和存儲項目的擴產需求，進口額保持強勁。

半導體設備進口額在下降，晶圓廠的擴產卻在加速，中間的差額正在由國產設備填補。

首先是光刻，即通過光學系統將電路圖案經掩模版轉移到涂有光刻膠的芯片表面，再經顯影形成精確的電路結構。這是整條半導體產線上價值量最高、技術壁壘最高的環節，全球市場幾乎被荷蘭的阿斯麥（ASML）壟斷。國內目前較為出名的只有上海微電子一家供應商，產品屬于成熟制程。

目前，國內的光刻設備仍然高度依賴進口。瑞銀在前述研報中稱，2026年前5個月，中國從荷蘭進口的光刻設備金額同比仍在大幅增長，上海和北京從荷蘭進口的光刻設備累計增長了92%和65%。

光刻之后是刻蝕，即用等離子體在芯片表面精確“刻”出電路圖案。和光刻幾乎被海外壟斷不同，刻蝕是國產設備進展最快的領域之一，中微公司和北方華創在這個環節形成了兩強格局。

財報數據顯示，中微公司2026年一季度營收為29.15億元，同比增長34%，截至一季度末累計有超過8300個反應臺在全球180多條產線量產；其自主研發的超高深寬比刻蝕設備（能在寬度只有頭發絲萬分之一的溝槽中，刻出深度為寬度90倍的結構）已交付客戶驗證，下一代產品在3DDRAM的應用中實現了140比1的深寬比刻蝕。

北方華創2026年一季度營收為103.23億元，同比增長約26%。北方華創在2026年3月舉辦的SEMICONCHINA（全球規模最大的半導體行業展會之一）上發布了新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備NMC612H，將刻蝕均勻性推進到埃米級別（1埃米等于0.1納米，大約是一個原子的直徑）。

刻蝕完成之后，芯片表面需要鍍上極薄的導電或絕緣材料，這道工序叫薄膜沉積。主營薄膜沉積設備的拓荊科技，2026年一季度營收為11.12億元，同比增長57%。截至2025年末，拓荊科技在手訂單約為110億元，合同負債（通常反映客戶預付貨款的規模）達到48.52億元，同比增長超過六成。此外，北方華創2025年薄膜沉積設備收入超過100億元。

中微公司也在快速進入薄膜沉積領域，2025年其LPCVD（低壓化學氣相沉積，用低壓環境下的化學反應在芯片表面沉積薄膜的技術）和ALD（原子層沉積）設備合計收入同比增長了224%，其中LPCVD設備累計出貨突破300個反應臺。

瑞銀在前述研報中也指出，2026年5月國內薄膜沉積設備進口額同比增長12%，在非光刻類設備中占比最大，達到30%。

芯片每經過一輪刻蝕和沉積，表面就會變得凹凸不平，這時需要CMP（化學機械拋光）把表面磨平，才能進行下一層電路的制造。

這個環節在主要工序中的國產化程度也很高。華海清科是國內CMP領域市場份額最大的企業之一，2026年一季度的營收為12.01億元，截至5月末在手訂單74.81億元，其中離子注入裝備的在手訂單同比增長了116%。華海清科目前天津、北京兩大基地的廠區空間利用率長期在90%以上，產能接近飽和，這也是其定增37.95億元新建上海基地的直接原因。

值得一提的是，中微公司收購杭州眾硅后，也進入了CMP領域。

貫穿整個芯片制造流程的還有清洗，即用超純水或化學品去除每道工序中產生的微小顆粒和殘留物。盛美上海（688082.SH）是國內清洗設備領域的頭部企業。根據市場研究機構Gartner數據，2025年其在全球清洗設備市場排名第四。盛美上海2025年的營收為67.86億元，同比增長約21%，2026年一季度營收為14.76億元，同比增長約13%。

涂膠顯影是與光刻配套的工序，在光刻前把光刻膠均勻涂在晶圓表面，曝光后再將其顯影去除。在這方面，芯源微（688037.SH）是國內頭部的量產供應商。北方華創2025年以31.35億元收購芯源微取得控制權后，將涂膠顯影納入了自己的產品體系。

在收購芯源微完成后，北方華創已成為國內唯一覆蓋刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、離子注入、涂膠顯影、鍵合七大類設備的企業。

除了前道制造環節，后道的測試設備也在成為新的增長點。SEMI數據顯示，2025年全球測試設備銷售額同比增長55%，增速遠超前道晶圓加工設備的12%。

記者采訪了解到，AI芯片的測試復雜度遠高于傳統芯片。傳統芯片的測試時間在毫秒級，AI芯片的單顆測試時間已延長到10—20分鐘甚至30分鐘，測試設備的用量和單價都在大幅提升。

盤和林也提到，國產半導體設備的進展并不均勻，具有制造優勢的品類獲得了提振，但受制于海外關鍵零部件的品類確實遇到了困難。

另外，國產半導體設備頭部廠商也都在大幅增加研發投入。2025年，北方華創研發投入72.77億元，占營收比例為18.49%。中微公司2025年研發投入達37.44億元，占營收比例為30.23%。2025年，北方華創歸母凈利潤同比下降1.77%，增收不增利的直接原因之一就是研發費用的大幅增長。

對此，劉高暢認為，國產設備行業正處于用研發投入換先進制程產品突破的階段，短期利潤承壓也在預期之內。

根據盛博在前述研報中的估算，中國晶圓制造設備（WFE）國產化率預計從2025年的21%升至2028年的約43%；國產前十大設備公司2024年至2028年的復合增速約為35%。SEMI預測，2027年全球半導體設備市場規模將達1560億美元，中國市場約占四成。全球科技市場研究機構Omdia數據顯示，全球DRAM市場規模預計從2025年的1505億美元，增至2030年的5710億美元，年均復合增長率超過30%。

盤和林表示，國產半導體設備未來幾年將保持高增長，行業在增長的過程中會繼續加大研發投入，逐步探索先進制程芯片制造設備的國產化路徑。