01產業驅動因素

①存儲芯片持續漲價

節前，因市場需求激增，多家存儲芯片廠商宣布漲價。

海外芯片大廠三星電子宣布將內存價格上調30%，NAND閃存價格上漲5%-10%；美光科技也通知客戶價格將上漲20%-30%。

相關存儲產品甚至出現了缺貨。

不得不說，自2025年上半年以來，存儲芯片就呈現漲價趨勢，我國北京君正表示，存儲芯片漲價周期可能持續到明年。

其背后摩根士丹利表示，AI引發的芯片狂熱，正從GPU等邏輯芯片迅速蔓延至存儲芯片領域。

②半導體吹響周期向上的號角

值得一提的是，存儲芯片一直被認為是半導體的“急先鋒”。

我們之前便提到，2025年上半年，我國半導體行業的營收、凈利潤分別同比增長17.23%、36.51%。

行業凈利潤自2024年便持續上行，今年利潤增速創下近三年新高，但還是沒有達到2022年的最高水平。

也正是在這樣的背景下，諸多半導體公司獲得了良好的業績，反而是存儲芯片相關公司業績表現較差，從而帶來較強的業績反轉預期。

02產業驅動因素

03上游產業鏈

03-1半導體材料

無論是哪類芯片，其生產制造都要用到半導體材料和設備。

其中半導體材料應用，晶圓制造要用到硅片，清洗、刻蝕環節都要用到電子特氣和濕化學品，薄膜沉積要用到靶材、前驅體，光刻要用到光刻膠和掩膜版，封裝環節要用到封裝材料（封裝基板、鍵合絲、粘合材料）等。

整體來說，半導體材料應用較多的是硅片、電子氣體、光掩模版3類，其次是拋光材料、光刻膠、濕化學品等。

另外，半導體材料也是我國重要的國產替代領域。

國產化率相對較低的環節往往有著較高的技術壁壘以及國產替代空間。

包括光刻膠、電子氣體、濕電子化學品、CMP拋光墊、拋光液、12英寸硅片以及封裝基板等，它們的國產化率大多都在20%左右甚至更低。

03-2半導體設備

除半導體材料外，半導體設備在芯片制造中同樣重要，晶圓制造、封裝測試每個環節都有對應的設備。

而且因為單價較高，半導體設備市場規模比材料規模更大。

2025年，全球半導體設備、材料規模預計分別達到1255億美元、超700億美元。

分類來看，光刻設備、刻蝕設備、薄膜沉積設備、量檢測設備是4類主要的設備，其次是清洗設備、涂膠顯影設備、CMP設備等。

但半導體設備的國產化率也并不算高，2024年我國國產設備商占比雖然突破了50%，但量測、光刻、涂膠顯影、離子注入設備國產化率仍較低。

它們的技術突破難度比高端半導體材料突破難度還大。

03-3相關標的

①雅克科技：半導體材料龍頭廠商，并是國內唯一的前驅體供應商，實現國內頭部存儲客戶全覆蓋。

②晶瑞電材：國內最早量產光刻膠的少數幾家企業之一，當前ArF光刻膠已實現小批量出貨，紫外系列光刻膠產品出貨量增長顯著。

③北方華創：半導體設備龍頭，在HBM芯片制造等領域可提供刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法、電鍍等多款核心設備。

④華海清科：國內CMP拋光、封裝設備龍頭，均應用于存儲芯片制造和封裝領域，目前正向平臺型企業邁進。

04中游產業鏈

04-1存儲芯片分類

接下來，我們詳細了解一下存儲芯片。

存儲芯片主要分為兩類，DRAM動態隨機存儲器和NAND Flash非易失性存儲器，它們的設計和架構不同，功能也有所不同。

簡單來說，前者斷電后數據會丟失，后者則可以保存，二者的應用占比大約為56%：44%。

當然，存儲芯片不止這兩類，DRAM還可以分為DDR、LPDDR、HBM。

其中DDR更適用于臺式機、服務器等場景，LPDDR專為移動設備設計，為低功耗雙倍數據速率內存，HBM屬于高寬帶內存，廣泛應用于AI計算等場景，以降低數據通信能耗并提升運算效率。

NAND Flash則包括SSD（固態硬盤）、嵌入式存儲、U盤等產品，廣泛應用于各類場景。

當前，DRAM市場增速要快于NAND Flash。

根據Trendforce預測，2025年DRAM全球市場規模將達到1365億美元，同比增長51%，其充分受益于HBM崛起、DRAM產品升級、大廠限縮供給和服務器需求復蘇等。

NAND Flash市場規模將達870億美元，同比增長29%，同樣受到大容量QLC（四層式存儲單元）和SSD（企業級固態硬盤）崛起、智能手機采用QLC UFS（通用閃存存儲）等因素帶動。

存儲芯片市場同時面臨了漲價、需求增長、技術迭代等多重邏輯。

04-2存儲芯片市場格局

我們把存儲芯片生產和市場格局一起來講。

具體來說，和其他芯片一樣，存儲芯片也要經過設計、制造和封測三個環節，但存儲芯片還衍生出了存儲模組這一環節。

即模組廠將多個存儲芯片以及其他配套芯片（主控芯片、內存接口芯片）進行組裝，從而實現對終端的銷售。

由上圖可以看到，存儲芯片設計、制造、封測、模組集成和配套芯片的價值占比分別約為24%、42%、16%、13%和5%。

我們分別看一下：

①存儲芯片設計和IDM模式：當前國內上市存儲芯片廠商主要集中在設計環節，而海外龍頭多形成了集制造、封測為一體的IDM模式。

并且雖然我國存儲芯片廠商和國外還有較大差距，但隨著我國企業布局的完善（以長江存儲、長信存儲為主導），國產化率也在持續提升。

②存儲芯片封測：存儲芯片有專門的封測廠商，并且隨著HBM、3D堆疊等存儲技術的發展，帶動了先進封裝以及測試環節的需求。

可以說為了實現先進制程，我國存儲芯片的封測能力也在不斷提升。

③存儲芯片模組集成：模組集成環節的利潤空間雖然相對較低，但其連接著上下游，對上可拓展空間較大，對下周期性特點更突出，同樣具有一定技術壁壘。

04-3相關標的

①兆易創新：國產存儲芯片設計龍頭，雖然目前主要在NOR Flash領域地位突出，但DRAM領域也在持續拓展中。

②瀾起科技：內存接口芯片龍頭，目前積極拓展高性能運力芯片，打開增長新曲線。

③德明利：三大存儲模組廠商之一，2025年上半年營收實現88%的增長，嵌入式存儲、固態硬盤等加速放量。

④江波龍：全矩陣存儲模組龍頭，2025年二季度營收、凈利潤都有明顯改善，且已在企業級存儲、主控芯片等領域有所突破。

⑤深科技：承接長鑫存儲的晶圓加工業務，同時也是海外存儲模組廠商金士頓的封測業務的主要供應商。

⑥通富微電：公司處于存儲器封測領域國內第一方隊。

05下游產業鏈

目前來看，存儲芯片最核心的驅動力還是AI。

可以分兩方面考慮，一方面，AI云端即AI數據中心、服務器對于存儲芯片的需求。

有關機構預計，2025年我國AI資本支出將達7000億元，到2030年全球AI資本支出將達8000億美元！

數據中心、服務器必然要處理海量數據，從而對存儲芯片及存儲模組的要求提升，帶動諸如HBM以及企業級SSD和近線SSD（NL eSSD）的需求。

另一方面，AI端側/AI邊緣端設備的發展，同樣將增加對高寬帶、大容量和低功耗、小尺寸內存的需求。

AI端側的發展也有望迎來持續且快速的增長。

06發展趨勢

最后簡單做個總結，存儲芯片當前正面臨漲價、技術升級、國產替代和AI需求驅動等多重刺激，未來其產業發展將有望迎來新一輪景氣周期。

#存儲芯片、#AI、#HBM

以上分析不構成具體投資建議。股市有風險，投資需謹慎。