廣東
5月25日，《南華早報》等報道，曾參與臺積電日本熊本3nm產線關鍵項目的中國半導體科學家達博（Da Bo），近日正式攜整個研究團隊回國，并將入職中國一所頂尖高校。
?達博此前長期在日本國家材料科學研究所（NIMS）工作，曾是該機構歷史上最年輕的獨立PI（首席研究員）。他還主導了美國泛林集團（Lam Research）與NIMS的聯合研究項目，重點攻關臺積電3nm量產線等離子刻蝕設備中的關鍵材料與工程難題。
?報道提到，達博曾開發“白電子”技術，通過控制二次電子能譜，提高二維材料檢測效率。這項技術被認為對電子束檢測、半導體測試設備非常關鍵。
?在日本期間，達博曾獲得多項半導體領域獎項，還被日本電子束領域權威、阪大名譽教授清水隆一公開稱為“學術接班人”。
?與一般人才回國不同，達博這次屬于“整建制回國”。他過去幾年在NIMS組建的團隊，成員大多為中國研究人員和中科大畢業生，此次幾乎整體回到中國。
?報道認為，這次回國，直接瞄準中國半導體設備與核心材料領域的薄弱環節。尤其是在5nm以下先進制程所需核心部件、刻蝕材料等方面，中國目前仍高度依賴海外技術。
?達博本人則表示，希望推動中國半導體設備、材料和核心零部件達到世界先進水平。
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