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SK海力士今年將推出375層NAND閃存，未來幾年還將推出480層/604層后續產品。
SK海力士和三星正在競相研發NAND閃存層數最多的產品。三星的目標是突破400層，其雙層堆疊解決方案最高可達1000層；而海力士即將開始量產其375層NAND閃存。
SK海力士預計將于2026年底開始量產其375層NAND閃存解決方案，提供更高的存儲容量。
據The Elec消息人士透露，SK海力士已完成其375層NAND閃存解決方案的驗證，并將很快在其晶圓廠內推進該解決方案的量產。量產將在現有晶圓廠進行，這些晶圓廠將進行改造以支持新的NAND工藝。目前，這些晶圓廠正在生產321層V9 NAND閃存解決方案及其他產品。
據悉，SK海力士內部將375層NAND閃存芯片稱為“400層”。之所以決定去掉多余的層數，是因為在芯片上堆疊過多層時遇到了困難。SK海力士正在研發未來的產品，例如480層和604層NAND閃存芯片，但這些產品需要采用不同的技術方案。
一位業內人士表示：“之前被描述為400層級NAND的產品現在被修正為375層。未來還將推出480層和604層的產品?！?/p>
這種方法是用鉬膜取代現有的鎢膜。由于鎢膜在布線鍵合變窄時無法承受高電阻，因此新材料將有助于解決使用鎢膜時遇到的信號傳輸問題。鉬膜具有更好的電阻性能，三星已經在使用。三星預計今年還將優化其NAND工藝，推出首款400層V-NAND產品。
存儲需求的增長也將意味著NAND閃存制造商有望獲得豐厚的利潤。但與此同時，他們也需要采購大量原材料才能開始量產。鉬的需求將出現大幅增長。三星去年采購了4噸鉬，今年迄今為止已采購了10噸，而SK海力士預計也將消耗約4噸。預計到2027年，鉬的總需求量將增至25噸，2028年增至40噸，2029年增至60噸，到2030年將達到驚人的80噸。
（來源：編譯自wccftech ）
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