過去兩年，HBM一直被視為存儲界的“試金石”。但如今，這一現(xiàn)狀正發(fā)生階段性變化。

根據(jù)TrendForce最新研究，2026年第一季度，64GB DDR5 RDIMM服務器內(nèi)存模塊的單位晶圓收入和盈利能力，首次超越HBM產(chǎn)品。 這意味著，目前存儲行業(yè)最賺錢的產(chǎn)品不再是緊貼AI GPU的HBM，而是AI服務器內(nèi)部大量使用的DDR5內(nèi)存。

相應的，頭部存儲廠商之間的 DRAM 擴產(chǎn)競爭也愈演愈烈。

新一輪DRAM擴產(chǎn)競賽， 已然打響

據(jù)悉，SK海力士正籌劃一場史上規(guī)模最大的DRAM產(chǎn)能擴張。據(jù)The Elec報道，SK海力士已向核心供應商披露計劃，擬在2030至2031年間將DRAM月產(chǎn)晶圓數(shù)量從目前約55萬片提升至約100萬片，幾乎翻倍。這與SK集團會長崔泰源（Chey Tae-won）在2026年COMPUTEX展會上的公開表態(tài)相吻合——他當時宣稱公司將"以全速在五年內(nèi)將整體晶圓產(chǎn)能翻倍"。

該計劃的核心目標是：將目前每月約55萬張（包含中國無錫工廠約20萬張產(chǎn)量）的DRAM月產(chǎn)能，提升至2030年的100萬張左右。此次擴產(chǎn)將高度集中于龍仁半導體集群。

根據(jù)規(guī)劃，SK海力士將龍仁一期晶圓廠劃分為6個潔凈室，首個潔凈室（Phase 1）的設備搬入時間已從原定的2027年5月提前至2月。在完成設備調(diào)試并新增6萬張產(chǎn)能后，剩余產(chǎn)能將在隨后的3年內(nèi)逐步釋放，共計增產(chǎn)36萬張。按此推算，僅龍仁一期晶圓廠就能在2030年上半年新增每月36萬張的DRAM產(chǎn)能。

與此同時，目前正在擴建的清州M15X晶圓廠也將貢獻增量。該廠預計將于今年下半年以每月4萬張的規(guī)模啟動運營，并在明年達到約8萬張的產(chǎn)能。

從現(xiàn)有規(guī)劃來看，SK海力士新增產(chǎn)能均聚焦于DRAM領(lǐng)域，這主要源于AI數(shù)據(jù)中心建設和AI訓練/推理對高性能計算硬件的需求呈爆發(fā)式增長，直接引發(fā)HBM和服務器用高密度DRAM的巨大需求。至于NAND閃存，未來將主要通過技術(shù)升級（如增加層數(shù)）來推進。

在HBM4E方面，SK海力士也在加快交付進度。6月18日，SK海力士12層堆疊HBM4E已向各大核心客戶送出樣品。HBM4E是第七代HBM，預計SK海力士的HBM4E將被用于英偉達的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中，Rubin Ultra計劃于明年發(fā)布。

值得注意的是，5月29日，三星電子宣布，已開始向主要全球客戶交付業(yè)內(nèi)首批12層48GB HBM4E樣品。美光的HBM4產(chǎn)能爬坡進展也相對順利，計劃于2027年量產(chǎn)HBM4E。隨著新一代HBM產(chǎn)品的量產(chǎn)，這三家存儲龍頭的供應競爭將進一步加劇。

這場AI盛宴的幕后，最開心的遠不止存儲廠商，還有那些賣“鏟子”的半導體設備商。那么，在浪潮洶涌之下，誰才能抓住真正的機會？

半導體設備商的 “潑天富貴”

本輪擴產(chǎn)的第一波設備紅利，首先砸向先進DRAM前道制程。但受益的遠不止光刻機——刻蝕、沉積、清洗、量測等各類前道核心設備，乃至后道堆疊專用設備，均因工藝復雜度躍升而需求激增。

光刻機是第一個也是最硬的需求缺口。當DRAM制程邁入10nm及以下節(jié)點后，傳統(tǒng)光刻需依靠多重曝光才能刻出目標電路，直接推高工藝復雜度，并帶來良率走低、成本攀升等難題。先進光刻設備成為行業(yè)剛需，各大廠商甚至提前布局High-NA EUV。今年3月，SK海力士便披露將向ASML采購總價約80億美元的EUV光刻機，交付至2027年底，全面服務于下一代工藝。光刻機的緊俏也拉動了配套設備的價值重估——涂膠顯影設備在多重曝光流程中配置量同步倍增。

刻蝕與薄膜沉積是最大受益者，兩者合計占DRAM產(chǎn)線設備投資的近五成。先進DRAM的真正難點在于存儲電容器的構(gòu)建。進入1b節(jié)點后，平面架構(gòu)的電容尺寸已達物理極限，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向三維垂直結(jié)構(gòu)：在氧化硅/氮化硅疊層中刻蝕深溝槽，孔徑僅數(shù)十納米，深寬比突破100:1。這直接催生了高深寬比刻蝕設備（負責溝槽成型，側(cè)壁垂直精度達納米級）和原子層沉積（ALD）設備（負責溝槽內(nèi)壁均勻鍍膜）的高速增長。

數(shù)據(jù)顯示，如今3D NAND 為提升存儲密度，將存儲單元垂直堆疊，層數(shù)不斷增加，目前主流產(chǎn)品已超過 300 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數(shù)的技術(shù)路線圖。這使得對刻蝕設備的需求量和性能要求呈指數(shù)級增長，比如從32層提高到128層時，刻蝕設備用量占比從35%提升至48%。堆疊層數(shù)不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協(xié)同工藝成為主流，這都對薄膜沉積設備提出了更高要求。

同時，清洗設備需求飆升——高深寬比刻蝕后的副產(chǎn)物極易在底部堆積，傳統(tǒng)清洗液無法有效浸潤，而光刻步驟翻倍使清洗工序增至200道以上，倒逼超臨界流體清洗等高端方案快速滲透。

CMP設備同樣是不可或缺的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在前道先進DRAM制程中，CMP貫穿淺槽隔離、電容層平坦化和多層互連等多個節(jié)點，工藝復雜度躍升直接推高設備需求。

此外，DRAM 晶圓完成前段工藝制造后，將進入 HBM 堆疊工藝工序，同時也會帶動一整套專用設備的新增需求。比如：要將多層DRAM晶圓垂直堆疊，晶圓減薄機必須將芯片厚度從常規(guī)的數(shù)百微米減至50微米以下，而變薄后的晶圓極易翹曲和碎裂，這對減薄機的精度和應力控制提出嚴苛挑戰(zhàn)；混合鍵合設備則要在常溫下實現(xiàn)銅-銅直接擴散連接，界面平整度需控制在亞納米級；TSV刻蝕與檢測設備更要在薄片上打通數(shù)十萬個垂直通孔，并逐一排查電氣連通性。而混合鍵合前的原子級表面處理、超薄晶圓減薄配套及TSV平坦化均依賴CMP完成。

半導體設備廠商，

誰抓住了這波浪潮？

在回答“誰抓住了機會”之前，有必要先看清這波浪潮的體量。

泛林集團（Lam Research）CEO在2026年1月的財報電話會上預測，2026年全球晶圓廠設備市場將躍升至1350億美元，雖受潔凈室短缺制約，但下半年增長強勁。HBM與先進封裝成核心引擎，預計后者增速超40%，NAND升級亦加速推進。

科磊（KLA）預測2026年WFE規(guī)模將突破1400億美元，且2027年增速有望進一步提升。這是一場千億美元級別的設備盛宴。而在這場盛宴中，不同賽道的設備商受益邏輯各不相同。

關(guān)于這波浪潮的受益者，先看國際廠商。

光刻機的最大受益者必然是ASML，這一點不用贅述。涂膠顯影設備的主要供應商是東京電子，其市占率長期穩(wěn)定在90%左右，EUV光刻涂膠顯影設備的市占率更是達到100%，

泛林半導體是刻蝕領(lǐng)域的絕對龍頭，其Kiyo、Flex系列設備是行業(yè)標配。目前，泛林集團已推出專為 4F2 和三維 DRAM 制程設計的 Akara 刻蝕系統(tǒng)，同時還提供適用于硅通孔制程的 Syndion 刻蝕系統(tǒng)、以及向硅通孔結(jié)構(gòu)沉積銅金屬的 Sabre 3D 電鍍系統(tǒng)等設備。

應用材料則是在沉積領(lǐng)域與泛林形成雙雄對峙。近日，應用材料發(fā)布兩款面向3D芯片微縮技術(shù)的全新制造設備，聚焦先進邏輯與存儲芯片在高深寬比結(jié)構(gòu)下的核心工藝挑戰(zhàn)。其中，Centris Spectral設備采用高密度微波等離子體技術(shù)，可在低溫條件下于復雜3D結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積致密、均勻的氮化硅薄膜，顯著提升GAA晶體管與高層數(shù)3D NAND的良率與穩(wěn)定性。

另一款Producer Selectra鉬刻蝕機則首次實現(xiàn)對金屬鉬的高選擇性干法刻蝕，有效解決傳統(tǒng)濕法在數(shù)百層堆疊中刻蝕不均、底部難以觸及的難題，大幅改善3D NAND單元一致性與數(shù)據(jù)保持能力 。

SCREEN Holdings是全球晶圓清洗設備的市場領(lǐng)導者。根據(jù)YH Research數(shù)據(jù)顯示，2025年SCREEN控股在逐片處理半導體晶圓（基板）的單片式清洗設備領(lǐng)域，全球份額占到約38%。

Besi是混合鍵合設備的主要參與者。今年4月初，SK海力士采購了由應用材料與Besi聯(lián)合研發(fā)的混合鍵合量產(chǎn)成套設備，整套設備造價約200億韓元，折合1500萬美元，整合了應用材料CMP化學機械拋光、等離子處理設備與Besi混合鍵合機，也是SK海力士首套面向量產(chǎn)的混合鍵合設備。

Besi預測，到2030年，全球已安裝的混合鍵合系統(tǒng)累計數(shù)量將達到960至2000臺。市場規(guī)模方面，全球混合鍵合設備市場預計將從2023年的1.23億美元，以24.7%的驚人復合年增長率，飆升至2030年的6.18億美元。其中，亞太地區(qū)（尤其是中國大陸）將成為增長引擎，市場規(guī)模有望超4億美元。

再看國內(nèi)的半導體設備廠商。2026年5月19日，長江存儲完成IPO輔導備案。6月12日晚間，證監(jiān)會官網(wǎng)顯示，證監(jiān)會同意長鑫科技首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的注冊申請。長鑫存儲與長江存儲走向IPO，只是故事的A面。B面是：它們身后的國產(chǎn)設備商，正從工藝外圍的零星國產(chǎn)，逐步躋身左右存儲芯片良率上限的關(guān)鍵核心制程賽道。

北方華創(chuàng)是國內(nèi)半導體設備領(lǐng)域的平臺型企業(yè)，產(chǎn)品線覆蓋刻蝕機、薄膜沉積設備（PVD、CVD）等多種關(guān)鍵設備。據(jù)悉，其PVD/CVD設備已加速進入國內(nèi)DRAM龍頭廠商的供應鏈體系。去年10月，北方華創(chuàng)還在互動平臺表示，長江存儲是公司的戰(zhàn)略客戶，公司多款I(lǐng)CP及CCP刻蝕設備、薄膜沉積設備、爐管設備和清洗設備應用于長江存儲的芯片生產(chǎn)線。

中微公司等離子體刻蝕設備已大量用于先進三維閃存和動態(tài)隨機存儲器件的量產(chǎn)；拓荊科技專注于薄膜沉積設備，尤其是PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）設備。PECVD是3D NAND芯片制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響芯片的多層堆疊能力。上述兩家公司的產(chǎn)品均已導入長江存儲供應體系。

華海清科是國內(nèi)少數(shù)能量產(chǎn)CMP（化學機械拋光）設備的廠商。CMP是芯片制造中的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，直接影響到芯片的平整度和良率。盛美上海為國內(nèi)存儲龍頭企業(yè)供應清洗設備；精測電子提供光學檢測、量測等設備；芯源微是涂膠顯影設備供應商；精智達專注于存儲芯片測試設備；至純科技為提供高純工藝系統(tǒng)等。

存儲設備的新浪潮，從來不是概念炒作的狂歡，而是技術(shù)迭代與市場需求雙向奔赴的必然。當 DDR5 憑借高密度優(yōu)勢成為行業(yè)盈利核心，當 HBM 的工藝突破拉開高端競爭序幕，這場圍繞存儲的較量，早已回歸到技術(shù)實力與產(chǎn)業(yè)韌性的本質(zhì)。

國際巨頭靠著數(shù)十年在核心設備、先進制程上的沉淀，依然占據(jù)著高端市場的主導權(quán)，其產(chǎn)能擴張與技術(shù)布局，直接牽動著全球存儲供應鏈的脈搏。但國產(chǎn)陣營的突圍之路同樣亮眼，北方華創(chuàng)、中微公司等企業(yè)緊跟國內(nèi)存儲龍頭的擴產(chǎn)節(jié)奏，從配套環(huán)節(jié)一步步切入核心制程，用持續(xù)的技術(shù)迭代和客戶驗證，正慢慢打破海外壟斷的壁壘。

責任編輯 | 陳斌