自發發射的寬譜帶難題
在光子學領域,自發發射過程固有的光譜展寬機制一直制約著非受激光源的顏色純度。從顯示技術到生物成像,窄帶發射對于實現高飽和色彩至關重要,尤其是在藍色和綠色區域,顏色純度直接影響效率與色域覆蓋。然而,傳統有機發光材料雖然具備波長易調諧的優勢,但其發射譜帶通常很寬(半高寬大于40納米),主要原因在于強振動耦合效應。盡管無機材料如氮化銦鎵、量子點乃至稀土離子能在一定程度上實現較窄的發射,但它們或存在“綠隙”效率問題,或波長固定難以調諧。因此,實現接近受激發射光譜銳度的有機熒光,長期以來一直是材料化學與光學物理交叉領域的一項核心挑戰。
模塊化重復設計放大多重共振效應
近期,京都大學?Takuji Hatakeyama課題組提出了一種通過分子重復架構放大多重共振效應的設計策略,成功合成了系列發射體,其熒光半高寬在甲苯中僅為6.9納米,在3-甲基戊烷中為5.5納米,在摻雜聚合物薄膜中為9.1納米,躋身迄今報道的最窄譜帶有機閃爍體之列。該分子框架通過空間上延伸電荷轉移分布,在保持局部短程電荷轉移特性的同時增強整體電荷轉移振幅,有效抑制了振動耦合,實現了前所未有的光譜精度。相關成果以“Organic spontaneous emission approaching the monochromatic limit”為題發表在《Science》上,
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分子設計與合成:突破性的十硼框架
為了實現光譜的極致窄化,研究團隊引入了模塊化重復架構來擴展多重共振框架(如圖1B示意)。這種π擴展策略保留了每個多重共振單元中的短程電荷轉移距離和電子剛性,同時增強了整體電荷轉移振幅。基于這一理念,他們合成了包含多達10個硼原子的m-CzB10-Mes、p-CzB10-Mes和pm-CzB10-Mes(圖1C)。與以往會導致發射紅移的π擴展系統不同,m-CzB10-Mes保持了在490納米附近的藍綠色發射。通過一步硼化反應,m-CzB10-Mes實現了92%的分離產率,相當于每個引入的硼原子對應超過99%的產率,展現了極高的合成效率。
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圖1. π-擴展MR化合物及一系列CzB10衍生物的化學結構。 (A) DABNA-1、ν-DABNA和V-DABNA的分子結構。(B) 基于模塊化重復架構的短程CT框架示意圖。(C) m-CzB10-Mes、p-CzB10-Mes和pm-CzB10-Mes的化學結構,每個分子均包含10個硼原子,其中R為2-乙基己基,Ar為均三甲苯基。
光物理性質:6.9納米超窄發射與超快熱活化延遲熒光
在稀甲苯溶液(10?? M)中,m-CzB10-Mes展現出99%的光致發光量子產率和僅7.5納米的半高寬(圖2A)。在10?? M濃度下,半高寬進一步收窄至6.9納米(36毫電子伏特),其半峰十分寬度僅為15.9納米,表明0-1躍遷被顯著抑制,與對比材料ν-DABNA的48納米形成鮮明對比。此外,m-CzB10-Mes的熱活化延遲熒光壽命極短,僅為464納秒(圖2B),遠快于傳統給體-受體型熱活化延遲熒光材料。在3-甲基戊烷中,其半高寬更是縮小至5.5納米(30毫電子伏特)(圖2C),充分展示了有機發光體的巨大潛力。
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圖2. CzB10衍生物的光物理性質。 (A、D、G) m-CzB10-Mes (A)、p-CzB10-Mes (D)和pm-CzB10-Mes (G)在甲苯中濃度為10?? M時的歸一化吸收和熒光光譜,圖中標注了吸收和發射峰位(納米,電子伏特)及半高寬(納米,毫電子伏特)。ab. units,任意單位。(B、E、H) 室溫瞬態衰減光譜及其相關參數,分別對應m-CzB10-Mes (B)、p-CzB10-Mes (E)和pm-CzB10-Mes (H)。ΦF和ΦTADF分別表示熒光和TADF組分的量子產率;τF和τTADF分別表示熒光和TADF組分的壽命。(C、F、I) 在3-甲基戊烷中濃度為10?? M條件下,室溫及77 K下的穩態PL光譜(熒光)以及77 K下延遲25 ms的磷光光譜,分別對應m-CzB10-Mes (C)、p-CzB10-Mes (F)和pm-CzB10-Mes (I),圖中標注了發射峰位(納米,電子伏特)及半高寬(納米,毫電子伏特)。(J) 基于約750種已報道的硼氮型MR系統,在甲苯中測量的半高寬值(毫電子伏特)比較(根據圖S17假設光譜對稱,由波長值換算得到)。
理論計算進一步支撐了上述實驗發現。圖3展示了從m-CzB4到m-CzB10模型化合物的黃昆因子和重組能分析結果。隨著分子尺寸增大,各振動模式對S?-S?躍遷的貢獻被顯著抑制,m-CzB10幾乎完全消除了振動耦合效應(圖3A、3C)。弗蘭克-康登分析模擬的發射光譜也證實了譜帶隨分子擴展而急劇窄化(圖3F)。相比之下,p-CzB10和pm-CzB10因電子結構差異,理論預測其譜寬略寬,這與實驗觀測高度吻合。相比之下,p-CzB10-Mes和pm-CzB10-Mes發射綠光(561納米和543納米),半高寬分別為15.8納米和17.5納米,盡管稍寬,但仍處于綠色發射體的最佳記錄之列(圖2D、2G),且pm-CzB10-Mes的光致發光量子產率達到了100%(圖2H)。研究團隊還將本工作與約750種已報道的硼氮型多重共振體系的半高寬進行了對比(圖2J),m-CzB10-Mes以顯著優勢處于最窄譜帶的頂端。
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圖3. 激發態的理論研究。 (A至E) 利用MOMAP軟件計算的模型化合物m-CzB4 (A)、p-CzB4 (B)、m-CzB10 (C)、p-CzB10 (D)和pm-CzB10 (E)中,各振動模式對S??S?躍遷貢獻的黃-里斯因子和重組能。利用Gaussian軟件計算了S?和S?結構之間的λROE(重組能)和ΔLavg(結構偏差)。(F) 通過弗蘭克-康登分析模擬的模型化合物m-CzB10(左)、p-CzB10(右)和pm-CzB10(中)的吸收光譜(虛線)和發射光譜(實線),其中半高寬設為400 cm?1。
OLED器件特性:溶液加工器件中的創紀錄窄帶電致發光
研究人員進一步將m-CzB10-Mes應用于溶液加工有機發光二極管中(圖4A)。在摻雜聚合物薄膜中,該材料仍保持了僅9.1納米半高寬的窄帶發射(圖4B)。通過引入藍色熱活化延遲熒光敏化劑作為輔助摻雜劑,器件實現了18.0%的最大外量子效率,相比無敏化劑的10.8%顯著提升(圖4D)。同時,電致發光譜的半高寬保持在約11納米的極窄水平。得益于m-CzB10-Mes快速的反系間竄越速率和熒光速率,器件在高電流密度下仍能抑制效率滾降,在1000坎德拉每平方米亮度下,有無敏化劑的器件分別保持了13.7%和8.1%的外量子效率。該敏化器件在4毫安每平方厘米、初始亮度超過1000坎德拉每平方米下的LT??(亮度衰減至初始值50%的時間)為28小時,外推至100坎德拉每平方米下約為1000小時,展現了良好的實際應用潛力(圖4G)。總體而言,m-CzB10-Mes的電致發光譜可能是迄今報道的溶液加工器件中最窄的(圖4H)。
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圖4. 使用m-CzB10-Mes的TADF敏化熒光OLED的電致發光性質。 (A) 空穴傳輸材料(HTM)、主體材料(補充材料第2節)和TADF輔助摻雜劑(AD)的化學結構,以及各功能層的器件結構和能級(電子伏特)。(B) 在相應主體中,于420 nm激發下m-CzB10-Mes的歸一化PL光譜。(C) 主體聚合物中包含1 wt% m-CzB10-Mes和y wt% AD的薄膜的歸一化PL和EL光譜。(D) EQE-亮度(EQE-L)特性。(插圖)器件的電致發光圖像。(E) EQE-電流密度(EQE-J)特性。(F) 電流密度-電壓(J-V)特性。(G) 在初始亮度約100 cd/m2和4 mA/cm2條件下,亮度隨工作時間的變化。(H) m-CzB10-Mes(星標)與先前報道的溶液加工TADF、鈣鈦礦和QD LED(圓點)的半高寬與最大EQE的比較(57, 58)。
總結與展望
本研究徹底顛覆了有機發光體必然呈現寬發射光譜的傳統認知,通過m-CzB10-Mes實現了在標準甲苯溶液中半高寬小于10納米的突破性性能,其半高寬約為此前最佳值的三分之二。通過重復基本多重共振核心單元進行π擴展,在保持短程電荷轉移距離的同時增強了多重共振效應,為有機材料的設計提供了理性策略。盡管在有機發光二極管應用中仍面臨聚集抑制和能量轉移效率提升等挑戰,但該材料系統在性能上已超越包括無機、有機金屬及有機-無機雜化材料在內的諸多體系,展示了有機器件在低成本制造和優異加工性方面的固有優勢。研究團隊預期,這一發現將激發有機發光材料的進一步進展,為下一代光子學和電子學器件的實現做出重要貢獻。
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