【上漲因素分析】
美光今日凌晨發布財報,大超市場預期。FY26Q3實現營收 414.6億美元,YoY +346%;Non-GAAP EPS為25.11美元。毛利率高達84.9%,再創歷史新高。此外,公司指引FY26Q4指引營收 500±10億美元,Non-GAAP EPS為31±1美元,毛利率約 86%。公司已簽署16份長期協議,HBM持續供不應求。
【存儲漲價,國產存儲產業鏈深度受益】
根據TrendForce集邦咨詢,今年第二季度DRAM合約價預計環比上漲58%至63%,NAND閃存合約價環比上漲70%至75%。此外,根據相關指引,存儲芯片價格在Q3有望保持30%左右環比漲幅,這一點從美光毛利率指引提升看也可見一斑。
在全球存儲漲價的大背景下,國內存儲芯片和存儲模組廠商有望同步受益,業績端加速放量已在報表端有明顯表現,#有興趣的投資者可關注信創ETF(159537),截至2026年6月24日,存儲模組+存儲芯片+內存接口芯片含量高達37.23%,存儲含量高于普通的半導體類指數(如科創芯片設計等),有興趣的投資者可以持續關注。
【存儲擴產,半導體設備迎成長黃金期】
半導體設備近期成長敘事良多,包括半導體設備漲價、設備出海、存儲擴產、兩存上市、去日化等多重引擎共振。美光FY26Q3資本開支約70億美元,并指引FY26Q4預計提升至約100億美元,可見存儲擴產正在加速。而材料端也因存儲高度景氣、成熟制程稼動率高企等因素而快速成長。半導體設備和材料均深度受益于存儲漲價和存儲擴產,#有興趣的投資者可關注半導體設備ETF(159516)。
不過還是需要注意波動風險,短期漲幅較大疊加存儲龍頭上市前后可能存在兌現需求,波動可能加大。還是需要采取分批、逢低布局等方式較為安全。
風險提示:具體持倉可能隨市場波動。提及個股僅用于行業事件分析,不構成任何個股推薦或投資建議。指數等短期漲跌僅供參考,不代表其未來表現,亦不構成對基金業績的承諾或保證。觀點可能隨市場環境變化而調整,不構成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同,敬請投資者仔細閱讀基金法律文件,充分了解產品要素、風險等級及收益分配原則,選擇與自身風險承受能力匹配的產品,謹慎投資。涉及基金費率請查閱法律文件。
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