快科技5月13日消息，美光科技日前宣布，已開(kāi)始向關(guān)鍵合作伙伴提供256GB DDR5 RDIMM（寄存式雙列直插式內(nèi)存模塊）樣品，傳輸速率最高可達(dá)9200 MT/s，比目前量產(chǎn)的DDR5內(nèi)存快40%以上。

該模塊基于美光1-gamma DRAM工藝打造。1-gamma是美光第六代10nm級(jí)節(jié)點(diǎn)，也是其首次采用EUV光刻技術(shù)量產(chǎn)的DRAM制程，單片晶圓輸出密度較前代提升超30%，16Gb DDR5芯片速度快15%、功耗降超20%。

封裝方面，該內(nèi)存采用3D堆疊與硅通孔互聯(lián)技術(shù)，將多顆DRAM顆粒立體堆疊，有效提升了單條容量和信號(hào)傳輸效率。

能效方面，單條256GB內(nèi)存運(yùn)行功耗為11.1瓦，相比兩條128GB內(nèi)存組合方案總功耗19.4瓦，可降低40%以上運(yùn)行功耗。

該內(nèi)存主要面向大型語(yǔ)言模型、代理式AI和實(shí)時(shí)推理等數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載，能夠在散熱和功耗限制范圍內(nèi)最大化每個(gè)CPU插槽的內(nèi)存容量。

美光正與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴在現(xiàn)有及下一代服務(wù)器平臺(tái)上進(jìn)行驗(yàn)證，以確保平臺(tái)兼容性并加速大規(guī)模生產(chǎn)部署。美光尚未公布量產(chǎn)或商用時(shí)間表。

與此同時(shí)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)也在持續(xù)升級(jí)。目前JEDEC正在推動(dòng)DDR5 MRDIMM標(biāo)準(zhǔn)，計(jì)劃將內(nèi)存速度提升至12800MT/s，進(jìn)一步滿足人工智能時(shí)代的內(nèi)存發(fā)展需求。

美光官方對(duì)256GB DDR5 RDIMM內(nèi)存的定價(jià)尚未披露，而現(xiàn)有256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存條的市場(chǎng)行情已超過(guò)5萬(wàn)元，單條售價(jià)落在5萬(wàn)至6萬(wàn)元區(qū)間。