北京
固態變壓器在電力電子領域被討論了多年，遲遲沒有大規模落地，成本是繞不開的一道坎。最近，芯聯集成用一款新器件，嘗試把這道坎削低一截。
芯聯集成宣布推出3300V SiC MOSFET，基于自研的8英寸碳化硅高壓平面柵工藝平臺。器件瞄準的是固態變壓器這類高壓、高功率密度、高可靠性的場景，目前已經向核心客戶送樣驗證。
從性能上看，這款3300V產品的單元面積更小，導通電阻-柵電荷優值更優。芯聯集成表示，這讓它實現了出色的導通與開關特性。
真正值得關注的是它對系統級成本的重塑。與1200V方案對比，在10kV中壓固態變壓器的前端應用場景中，采用這顆器件后，功率單元和MOSFET用量直降60%，外圍器件減少70%。整個物料清單成本因此縮減20%到35%。這種幅度，對于一直困在成本線下的固態變壓器來說，直接打開了降本空間。
元器件數量砍掉大半，不只是省錢，還意味著設計可以更緊湊，散熱負擔減輕，整體體積縮小。固態變壓器的小型化一直是產業目標，但過去受限于器件堆疊，現在有了清晰路徑。
芯聯集成還做了一步配套預埋：預告了適配這款3300V SiC MOSFET的高頻、高耐壓、高功率密度磁性器件。完整方案已在路上。價格這個最大的攔路虎，似乎終于開始松動了。
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