富凱摘要：在科技算力競爭延伸至存力領域、內存條價格狂飆的當下，通富微電迎來發展契機。

作者|川扇假

在科技飛速發展的當下，算力競爭的烽火已蔓延至存力領域，一場激烈的存力角逐就此拉開帷幕。近幾個月以來，內存條市場價格一路狂飆，數倍的漲幅令人咋舌。業內甚至戲稱，囤內存條的增值潛力遠超囤黃金。

當然，這不過是行業內的一句玩笑話。畢竟，黃金作為傳統避險資產，其大規模易開采金礦的發現概率微乎其微，而內存市場則截然不同，其擴產速度雖然不快，但兩三年時間必將帶來翻天覆地變化。

在此背景下，通富微電近期公布了一項44億元的定增計劃，其中就包括提升存儲芯片封測產能，待項目建成，年新增存儲芯片封測產能將達84.96萬片。在這一利好消息刺激下，通富微電股價接連上揚，一躍成為存儲芯片概念股中的領頭羊。

存儲封測賽道大贏家

2026年初，全球存儲市場漲聲一片，一條256GB服務器級DDR5內存價格沖破4.5萬元關口，相較于2025年下半年，漲幅超300%；消費級16GB DDR5筆記本內存條價格從380元猛躥至千元以上。

這股由AI算力需求點燃的漲價浪潮，正以“蝴蝶效應”重構半導體產業鏈格局，而通富微電作為全球存儲封測領域的領軍企業，自然不會錯過這波行業上行契機。

通富微電是國內半導體封裝測試行業的頭部企業之一，在全球封測市場位居第四、國內排名第二，為全球客戶呈上從設計仿真、圓片中測，到封裝、成品測試的全流程服務。作為國內率先達成7nm/5nm Chiplet封裝量產的企業之一，通富微電與AMD高端CPU/GPU封測訂單深度綁定，其終端應用覆蓋手機、汽車、AI服務器等領域，其中集成電路封測業務在營收中的占比高達96%，業務聚焦程度極高。

通富微電在2026年開年便拋出一份規模高達44億元的定向增發計劃，資金將用于提升存儲、汽車、晶圓級和高性能計算封測產能，并補充流動資金。其中，存儲封測項目投資8.88億元，預計新增年產能84.96萬片。公司稱，此次募投項目順應國產替代與技術升級大勢，可緩解產能壓力，提升高端封測能力。

對于這份定增計劃，市場給予了積極回應。通富微電在1月16日強勢漲停，單日成交金額達80.14億元，這反映出資金對其技術落地與擴產前景的高度看好。

一方面，存儲芯片制造商迎來難得的盈利窗口期，在市場需求急劇增長的背景下，產能已趨飽和，新建一條存儲生產線需兩年以上時間，不少老牌內存巨頭并無擴產計劃，妄圖坐享供需失衡帶來的紅利，卻忽視了后來者的奮起直追。

另一方面，通富微電作為內存巨頭的封測合作伙伴，其大尺寸封裝量產技術取得重大突破，在存儲芯片領域，其技術核心在于高堆疊封裝能力，通富微電已實現多層堆疊NAND閃存與LPDDR內存的穩定量產，還在國內率先完成基于TSV技術的3DS DRAM封裝開發，具備擴大存儲芯片產能的深厚技術積淀。

在市場層面，進入2026年，內存價格的上漲態勢并未減弱，無論是DDR5、DDR4還是DDR3，價格均持續上揚。眾多研報對此展開分析，認為內存價格的上漲趨勢在短期內難以扭轉。

存儲大廠為追求更高利潤，將產能從DDR4轉向HBM和DDR5，這使得DDR4供應缺口急劇放大，而需求端仍有不小的規模，尤其是工業自動化、醫療設備、工控機等領域因認證周期較長，仍依賴DDR4平臺，這種供需失衡狀況導致DDR4價格大幅飆升，甚至出現價格倒掛現象。

盡管近期多家國內存儲領域企業陸續公布擴產計劃，但由于產能釋放需要一定時間周期，內存緊缺的局面還會持續一段時間，而轉機則取決于內存產業鏈的國產替代浪潮能否成功承接DDR4、DDR3需求，以及產能何時釋放。

國產替代浪潮下的業績騰飛

在半導體國產替代的洶涌浪潮推動下，通富微電近年來業績大放異彩。作為國內集成電路封測行業的領軍企業，通富微電近年來業績不僅展現出顯著的復蘇態勢，更實現了結構優化升級。

數據顯示，通富微電營收于2020年成功突破百億元大關，不過受全球半導體周期下行沖擊，此后營收增速有所趨緩。尤其是2023年，通富微電雖維持了營收增長，但凈利潤卻大幅下滑66%。

然而，自2023年起，半導體行業景氣度逐步回升，疊加國產替代進程加速推進，通富微電順勢駛入高增長快車道。2024年，公司營收達238.82億元，同比增長7.24%；凈利潤6.78億元，同比暴增300%，業績表現極為亮眼。

步入2025年，通富微電的業績延續攀升態勢。2025年前三季度，公司營收201.16億元，同比增長17.77%；歸母凈利潤8.60億元，同比增長55.74%。其中，第三季度單季凈利潤4.48億元，環比二季度增長38.8%，強勁的增長動能盡顯無遺。

從客戶構成來看，AMD訂單在通富微電收入中仍占據主導地位，占比超80%，但值得一提的是，通富微電已成功拓展客戶版圖，覆蓋了英偉達、高通等國際行業巨頭，以及長江存儲、長鑫存儲等國內領軍企業，客戶多元化戰略有效降低了經營風險。

在技術領域，通富微電雙管齊下。一方面，大力推進先進封裝技術的預先研發，另一方面，積極布局存儲芯片賽道。針對智能手機與平板電腦市場，通富微電開發超薄FCBGA封裝技術，通過高堆疊3D NAND封裝技術，深度布局服務器與數據中心領域。

當前，制約通富微電發展的關鍵因素并非客戶與技術，而是產能瓶頸。通富微電的南通工廠產能已趨飽和，處于滿負荷運轉狀態，面對國內半導體行業周期上行的大趨勢，以及國家政策對半導體和芯片產業的大力扶持，通富微電必然要通過產能擴張，推動技術實現產業化落地與規模化發展。

因此，隨著通富微電定增計劃的出爐，為公司開辟了新的業績增長空間與未來想象空間，據通富微電介紹，此次定增重點聚焦于存儲芯片封測、車載芯片封測、晶圓級封測以及面向高性能計算與通信芯片的封測能力布局，在擴充產能規模的同時，優化產品與工藝結構，以更好地匹配下游芯片高算力、高可靠性、高集成度的發展趨勢。

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