Bernstein最新發布的2025年中國晶圓制造設備（WFE）競爭格局報告顯示，2025年中國半導體設備整體國產化率從2024年的16%躍升至21%，刻蝕、薄膜沉積、摻雜、過程控制等關鍵環節均實現顯著突破。其中，刻蝕國產化率達31%，薄膜沉積達27%，摻雜和過程控制首次突破10%大關。國產替代從“去美化”邁入“全鏈路自主”新階段，半導體設備正迎來份額提升與需求擴張的雙擊。

半導體設備ETF國泰（159516）大漲4%，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、測試等核心環節，是布局國產替代加速與存儲擴產紅利的核心工具。

【國產化率躍升至21%，刻蝕/沉積雙龍頭格局強化】

Bernstein于5月28日發布中國WFE競爭格局報告，報告顯示，2025年中國半導體設備整體自給率（國產化率）從2024年的16%提升至21%，提升幅度達5個百分點，是自2019年以來年度提升最快的一年。這背后是刻蝕、薄膜沉積、摻雜、過程控制等核心環節的集體突破。

刻蝕與薄膜沉積仍是國產替代主力，國產化率分別達31%和27%。刻蝕領域，中微公司（AMEC）與北方華創（NAURA）共同占據了國內廠商約95%的份額，兩者份額穩定在47%和48%，中微在CCP領域持續領先，北方在ICP領域優勢穩固。薄膜沉積領域，北方華創和拓荊科技（Piotech）是兩大主力，北方在PVD領域保持壟斷地位，并積極拓展CVD/ALD；拓荊在PECVD領域領先，ALD快速成長。值得注意的是，中微公司已開始在LPCVD/ALD領域確認收入，成為沉積賽道的新興力量，進一步加劇國產龍頭的平臺化競爭。

摻雜與過程控制首次突破10%國產化率，邊際改善最顯著。報告顯示，摻雜（離子注入等）和過程控制（量檢測）環節2025年國產化率分別達到13%和10%，同比增速高達86%和63%，是增長最快的細分領域。北方華創首次在摻雜領域確認收入，已躋身國內第二。過程控制環節，中科飛測、精測電子、上海睿勵等企業持續突破，在無圖形晶圓檢測、薄膜量測等領域逐步實現批量供貨。低國產化率環節的加速追趕，意味著替代空間被進一步打開。

光刻和涂膠顯影仍是“最后的堡壘”。光刻環節自給率仍低于1%，上海微電子（SMEE）等企業雖已出貨，但主要集中在后道封裝領域，前道光刻仍需數年突破。涂膠顯影（Track）國產化率同樣極低，芯源微是國內唯一具備量產能力的廠商，但份額提升尚需時間。這也恰恰說明，一旦這些環節取得突破，將釋放巨大的替代彈性。

【存儲超級周期+先進封裝，設備需求剛性釋放】

Bernstein在報告中特別指出，國內存儲客戶已因存儲超級周期大幅上修未來幾年擴產計劃，先進邏輯也將因國產AI芯片需求激增而加速產能擴張。這與WSTS預測的2026年全球半導體市場增長90%、存儲暴漲250%的數據高度吻合。

HBM4全面量產，TSV/混合鍵合/測試設備需求井噴。黃仁勛已確認SK海力士、三星、美光三家存儲巨頭通過認證，將量產HBM4并供應Vera Rubin平臺。TrendForce預計到2027年HBM晶圓投入量將占DRAM總投入的30%。HBM的TSV通孔刻蝕、多層堆疊鍵合、KGSD測試等工藝，直接拉動高深寬比刻蝕、混合鍵合、晶圓級測試設備需求。北方華創、中微公司在TSV刻蝕領域深度布局，拓荊科技的混合鍵合設備已進入客戶驗證，國產測試設備商亦有望在HBM測試環節分得一杯羹。

先進封裝設備迎來卡位機遇，北方華創面板級封裝去膠設備成功出貨。日月光推出310mm×310mm面板級封裝自動化產線，預計2027年上半年量產。北方華創首臺600mm×600mm面板級封裝去膠設備成功出貨，標志著國產設備正式切入先進封裝關鍵制程。

【半導體設備ETF國泰（159516）：一鍵布局國產替代加速+存儲擴產雙主線】

Bernstein報告揭示了一個重要趨勢：全球設備商在中國的收入正從“提前拉貨”階段逐步正常化，而國產廠商的份額提升是可持續的商業進展。2025年，應用材料（AMAT）、東京電子（TEL）等全球龍頭在中國區的收入同比出現下滑（LRCX除外），而國產廠商卻實現了37%-67%的同比增長。這表明，國產替代已不再是單純的政策驅動，而是基于技術成熟度和成本競爭力的商業選擇。

在國產化率躍升至21%、存儲超級周期驅動擴產、先進封裝設備突破的多重催化下，半導體設備行業正迎來“份額提升+需求擴張+國產替代深化”的三重共振。刻蝕、薄膜沉積、量檢測、摻雜、測試、先進封裝等各環節均處于景氣上行通道，而涂膠顯影、光刻等低國產化率環節更蘊藏巨大的替代彈性。

半導體設備ETF國泰（159516）跟蹤中證半導體設備指數，成分股覆蓋核心設備龍頭，全面覆蓋從晶圓制造到先進封裝的關鍵環節。相較于個股投資，ETF可有效分散單一技術路線和客戶驗證風險。在國產芯片從“追趕制程”邁向“架構引領”的歷史性轉折中，半導體設備ETF國泰（159516）是投資者把握國產芯片創新紅利的優選工具。

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