關于存儲，我之前寫過多篇文章，并早在去年9月份，我就在知識星球上推薦購買存儲，并在今年年初在港股押注了兩倍做多海力士和三星，同時在美國購買了唯一的存儲ETF（DRAM）。

并同時多次在群里呼吁購買存儲和中韓半導體。

你可能會問。存儲已經上漲了這么多，還有沒有機會？存儲為何作為曾經快被拋棄的行業，今天卻絕地飛天？

今天就讓我們用老馬投資研究的一篇文章來梳理這塊產業鏈。

內存芯片產業鏈是整個半導體產業中周期性最強、資本密集度最高、技術壁壘極深的支柱領域。在AI大模型（如大語言模型訓練）和端側AI（AI PC、智能汽車）的爆發式驅動下，內存芯片正經歷從“傳統配套外設”向“AI算力核心基礎設施”的范式轉變。

很多人以為，AI核心只有GPU，但實際上GPU負責“計算”，內存負責“喂數據”。沒有內存，AI無法訓練/大模型無法運行/數據無法高速調用，所以AI時代最容易被低估的核心之一，就是內存芯片。

一、產業鏈特點

內存芯片行業被稱為半導體產業的“晴雨表”。與邏輯芯片（如CPU、GPU）相比，內存芯片（DRAM和NAND Flash）具有極高的大宗商品屬性，其產業鏈呈現出以下六大核心特征：

1. 極強的“過山車式”周期性（Cyclicality）

供需錯配引發劇烈波動：存儲芯片屬于高度標準化的通用產品。由于新建晶圓廠長達2-3年的建設周期，往往導致產能釋放與市場需求存在時間差。

超級繁榮周期大爆發：以2025–2026年為例，AI服務器的爆發導致三星、美光等巨頭將大量產能轉產HBM（高帶寬內存）和企業級SSD，造成常規PC和手機內存產能短缺，2026年首季價格飆升超過90%，行業瞬間從寒冬跨入超級牛市，海力士甚至給員工發了平均640萬人民幣的年終獎，而三星工會正因為同行的巨額年終獎與公司談判，并計劃于5月21日大罷工。

1. 重資產、重資本的“贏家通吃”游戲

資本開支門檻極高：這是一個需要持續砸錢的行業。一家現代化的12英寸先進存儲晶圓廠投資往往需要上百億美元（如三星平澤廠區單個廠房投資就達300億美元以上）。

沉沒成本巨大：即使市場陷入低谷，廠商也必須持續投入巨資研發下一代制程（如DRAM從1α到1β、1γ；NAND堆疊層數從232層到300層以上）。一旦停止研發，就會因成本和性能落后被市場徹底淘汰。

1. 高度壟斷的寡頭格局

DRAM市場“三足鼎立”：全球傳統DRAM（運行內存）市場90%以上份額被韓國三星、SK海力士以及美國美光科技壟斷。

HBM市場“極度割裂”：在頂尖AI標配的HBM芯片上，SK海力士與三星兩家韓國廠商直接吞噬了全球約80%的市場份額。這種壟斷導致下游英偉達、AMD等GPU巨頭在議價上面臨巨大壓力（目前數據中心中有三成的投資給到了DRAM。

1. “工藝制程”與“先進封裝”雙軌驅動

DRAM向先進封測演進：傳統的DRAM依靠前道晶圓制程的微縮化（目前進入10納米級別的1-gamma、1-delta節點）來提升密度。但隨著物理極限臨近，以HBM為代表的3D立體堆疊與先進封裝（通過TSV硅通孔技術將多層DRAM堆疊）成為決定性能的決定性因素。 中國長江存儲憑借Xtacking架構，在300層以上的三維閃存領域已進入國際技術第一梯隊。

NAND走入“蓋樓”時代：閃存芯片不再一味追求平面制程縮小，而是通過垂直堆疊（3D NAND）層數來提高容量。

1. 地理分布呈現極端的“東亞集聚性”

全球接近90%的內存芯片產能部署在東亞地區（韓國、中國大陸、日本、中國臺灣）。其中，韓國是全球存儲的絕對心臟。這種高度集中的地理分布，使得全球存儲供應鏈對東亞的地緣政治和自然災害（如地震、停電）具有極高的敏感性。

1. 國產供應鏈面臨“卡脖子”與“加速突圍”并存

中國本土的長鑫存儲（DRAM）和長江存儲（NAND）經過十余年攻堅，已在常規內存和先進閃存上實現了從0到1的規模化放量，并開始通過本土先進封裝產業鏈（如通富微電等）突圍HBM技術，保障了國內AI算力芯片（如華為昇騰）的底層供應鏈安全。

但在產業鏈最上游的ASML光刻機、先進化學材料（如GMC顆粒狀環氧塑封料、前驅體） 方面，本土供應鏈仍在大力攻堅國產化替代。

二、產業鏈環節

內存芯片產業鏈主要由上游（支撐產業）、中游（核心制造）與下游（終端應用）三大環節構成：

1、 上游：支撐產業（材料、設備與設計IP）

上游核心決定了中游晶圓廠的制造工藝和產品良率，也是當前國產替代最關鍵的攻堅陣地。

1）核心半導體材料

• 晶圓基材：12英寸硅片（國內代表：滬硅產業）。

• 晶圓制造材料：電子特氣（雅克科技、特種氣體）、光刻膠、濕電子化學品、CMP拋光液/拋光墊（鼎龍股份、安集科技）。

• 先進封裝材料：在HBM（高帶寬內存）及3D堆疊中至關重要的顆粒狀環氧塑封料（GMC，代表：華海誠科）、芯片級底部填充膠（德邦科技）。

2）半導體制造與封測設備

• 前道晶圓制造設備：光刻機（ASML壟斷）、刻蝕機（北方華創、中微公司）、薄膜沉積設備（拓荊科技）、化學機械拋光設備（華海清科的CMP設備已覆蓋14nm以下先進制程）。

• 后段先進封裝設備：TSV硅通孔刻蝕機、減薄機、高精度固晶機（Die Bonder）。

3）核心設計工具與IP

• EDA軟件：新思科技（Synopsys）、Cadence。

• 內存接口IP：瀾起科技（Montage Tech）（其內存接口芯片、MCRB、CXL 內存擴展控制器全球領先）。

2、 中游：核心制造（設計、制造、封測與模組）

中游是存儲芯片完成由設計圖紙到物理實體的核心，目前全球呈現出高度的寡頭壟斷格局。

1）易失性存儲（DRAM & HBM）—— 運行內存核心功能：斷電后數據即丟失，直接與CPU/GPU交互。

• 全球巨頭：三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），三家壟斷全球超90%的傳統DRAM和接近100%的HBM市場。

• 本土破局者：長鑫存儲（CXMT）（全面擴產DDR5/LPDDR5并加速突圍HBM3）。

2）非易失性存儲（NAND Flash & NOR Flash）—— 數據存儲核心功能：斷電后數據依然留存，用于各類大容量存儲。

• 全球巨頭：三星、SK海力士（含Solidigm）、鎧俠（Kioxia）、西部數據（WD）。

• 本土破局者：長江存儲（YMTC）（憑借獨創的Xtacking架構率先向300層以上超高層堆疊閃存發起沖刺）；兆易創新（GigaDevice）（全球SPI NOR Flash龍頭）。

3）獨立封裝測試（OSAT）與存儲模組

• 先進封測：長電科技、通富微電（與長鑫等緊密協作攻克HBM3堆疊封裝）、華天科技。

• 存儲模組/終端品牌：金士頓（Kingston，全球模組老大）、江波龍（Longsys）、佰維存儲、德明利（將存儲顆粒加工封裝為各類SSD、內存條、U盤出貨）。

3 下游：終端應用（從傳統終端到AI重鎮）

內存芯片下游應用領域極為廣泛。隨著2025–2026年“超級周期”持續推進，應用結構正發生巨大顛覆。

1）服務器與數據中心（最大爆發點）：AI服務器（配置高帶寬HBM內存與TB級企業級eSSD）替代傳統消費電子，成為吃掉全球常規晶圓產能的絕對核心。

2）移動智能終端：智能手機（大容量LPDDR5X/UFS 4.0閃存顆粒）、個人電腦（AIPC升級帶動DDR5滲透率飆升）。

3）汽車電子與工業：智能座艙（車載高可靠性DRAM）、ADAS自動駕駛系統、工控設備等。

4）普通消費電子：物聯網設備（IoT）、網絡路由器（搭載利基型SLCNAND/NORFlash）。

產業鏈最新趨勢洞察

“常規產能”向“先進技術”全面讓道：由于三星、美光等巨頭將接近30%的常規晶圓產能調配去生產HBM和企業級SSD，引發全球大面積的常規DRAM與NAND嚴重短缺。

國產存儲廠迎來密集IPO與擴產潮：國內以長鑫科技為代表的存儲龍頭因AI紅利扭虧為盈并啟動巨額IPO，2026年二季度起國內兩大存儲晶圓廠（長鑫、長存）將開啟數十億美金級別的設備招投標，帶動上游國產半導體設備和前驅體材料供應鏈全面放量。

三、為什么內存芯片這么重要？

因為：AI不是“算力戰爭”，而是“數據吞吐戰爭”。 AI時代最大的變化： 過去計算量有限，而現在數據量指數級爆炸，于是：

• GPU數量暴增

• 數據交換暴增

• 內存需求暴增

結論：AI越強，越依賴內存。

四、內存芯片產業鏈五層結構

AI/數據中心需求 ——>DRAM / NAND / HBM——> 晶圓制造——> 封裝測試——>設備 / 材料 / 模組

五、第一層：需求端

這一層決定整個內存行業景氣度。

AI服務器相比傳統服務器：

• 內存容量更大

• 帶寬需求更高

• 數據調用頻率暴增

AI時代的核心變化： 過去是CPU中心，現在是GPU + HBM中心

所以：內存從“配角”變成“核心基礎設施”。

六、第二層：內存本體

這是整個產業鏈價值中心。

DRAM（最核心），其功能：高速運行內存

AI時代為什么爆發？因為：AI訓練需要超大容量，而GPU必須高速讀寫，對應的數據中心SSD需求明顯提升。

A股核心映射（存儲）

國產存儲核心

• 兆易創新 邏輯：國產存儲平臺型龍頭/DRAM布局

• 北京君正 邏輯：DRAM/車載存儲

• 東芯股份 邏輯：NAND/DRAM布局

• 普冉股份 NOR Flash

七、第三層：晶圓制造 這一層技術壁壘極高，內存制造最難的是什么？不是設計，而是：良率 + 工藝 + 資本開支。

全球核心制造霸主：臺積電

存儲制造巨頭：Samsung Electronics，SK hynix

國產方向：核心： ChangXin Memory Technologies（長鑫存儲） Yangtze Memory Technologies（長江存儲）

注意：雖然未上市，但會帶動整個國產產業鏈。

八、第四層：封裝測試（AI時代超級受益）

這一層現在越來越重要。為什么？因為：HBM/Chiplet 3D堆疊都依賴先進封裝。

A股核心標的（封裝）

• 長電科技 邏輯：國內封測龍頭/先進封裝受益

• 通富微電 邏輯：AMD鏈核心

• 華天科技 邏輯：存儲封裝布局

九、第五層：設備/材料（國產替代核心）

這一層是未來幾年最容易持續擴散的方向。

設備（最核心）

為什么設備最重要？因為：半導體國產替代，本質就是“設備替代”。

A股核心標的（設備）

• 北方華創 邏輯：國產設備絕對核心

• 中微公司 邏輯：刻蝕設備

• 拓荊科技 邏輯：薄膜沉積

• 精測電子 邏輯：檢測設備

材料（隱藏主線）

核心方向：光刻膠，靶材，CMP，電子特氣

核心標的：

• 安集科技 ：CMP材料

• 江豐電子 ：靶材

• 華特氣體 ：電子特氣

十、內存芯片資金流動路徑

真正的大行情通常這樣走： AI服務器——>HBM/DRAM——> 存儲模組 ——>先進封裝 ——>設備 ——>材料

當前最強環節在哪里？HBM！

十一、行業內部“強弱排序”

• 第一主線（最強）：HBM，對應：AI訓練

• 第二主線：DRAM，對應：周期漲價

• 第三主線：國產設備/材料，對應：國產替代

十二、當前內存芯片處于什么階段？

最終結論：內存芯片不是簡單周期反彈，而是“AI時代的數據基礎設施升級”。

十三、中國的強項和短板

中國內存與存儲芯片產業鏈在經歷近年來的重資產投入和技術攻關后，已形成以長江存儲（NAND Flash）和長鑫存儲（DRAM）為雙核心的本土IDM（垂直整合制造）體系。

1、產業鏈之“長板”（核心優勢）3D NAND閃存處于國際第一梯隊，長江存儲憑借獨創的 晶棧?Xtacking? 架構實現技術突圍。232層及以上高堆疊密度產品已成功量產，良率表現穩定。在 NAND 閃存領域，中國廠商的市占率已突破 10%。

2. 主流DRAM產品實現全面覆蓋長鑫存儲作為國內 DRAM 龍頭，已成功量產DDR5、LPDDR5X等先進規格內存。產品性能達到全球主流水平，出貨量位列全球第四。制程技術已步入 18.5nm（對應國際10nm級節點）工藝區間，實現規模化放量。

3. 模組配套芯片與獨立模組廠規模龐大接口芯片：瀾起科技在DDR5 內存接口芯片（RCD/DB）及配套芯片市場處于全球領先地位。模組與控制：擁有江波龍、佰維存儲 等全球領先的獨立存儲器與模組企業，主控芯片國產化部署進程加速。

4. 下游市場龐大且供應鏈國產化意愿高漲中國作為全球最大的消費電子與 AI 算力基建市場，下游需求極為充沛。在供應鏈去風險趨勢下，國內終端廠商正在加大國產存儲芯片的適配與啟用比例。

產業鏈之“短板”（關鍵瓶頸）

1、前沿AI算力存儲（HBM）尚未規模化量產高帶寬內存（HBM）制造門檻極高，涉及先進制程邏輯控制層、3D TSV（硅通孔）及先進封裝。目前全球 HBM 產能仍由 SK海力士、三星和美光三強壟斷，國內尚處于技術研發與先進封裝追趕階段。

1. 上游核心設備與關鍵材料自給率偏低

硬核設備：盡管長江存儲三期產線的國產設備占比首次突破 50%，但在先進制程光刻機、高端離子注入機、前道高精度量測設備上仍未擺脫對海外的依賴。

高端材料：諸如高端光刻膠、先進封裝材料、部分特種氣體及大尺寸硅片的國產化率普遍僅在 20%-30% 左右。

1. 整體全球市占率與巨頭仍有代差

雖然國產存儲在特定領域取得突破，但全球內存與閃存市場 90% 以上的份額仍被美韓三大巨頭牢牢掌控。長鑫、長存等企業因持續進行高強度研發和重資產建廠，正處于跨越財務折舊周期的關鍵階段。

十三、中國政府對內存芯片的扶持情況，包括重點企業和項目

中國政府對存儲（內存）芯片產業鏈采取了最高級別的戰略扶持，形成了從中央大基金、地方國資專項基金到財稅減免、產業采購等“立體化”的政策支撐體系，旨在加速實現高端存儲芯片的國產自主可控。

核心資金扶持：國家大基金的戰略迭代

國家集成電路產業投資基金（簡稱“大基金”）是中國存儲產業的最核心資金來源：大基金三期（2024年5月成立，注冊資本3440億元）：規模超過一、二期的總和。在2025年至2026年的投資部署中，三期明確將30%的資金聚焦于AI算力與存儲芯片（尤其是高端 HBM 芯片）及先進封裝，其余 70% 砸向上游卡脖子的設備與高端材料，正全力推動長鑫與長存的產能倍增。大基金一、二期：已完成對長江存儲、長鑫存儲等晶圓制造巨頭以及上游裝備的早期關鍵注資，投資占比中晶圓制造環節均高達 67%~75%。

頂層扶持的“重點企業與項目”

政府扶持的資源高度集中于以下雙核心及配套產業鏈中：

1. 長江存儲（NAND Flash 國家級項目）

扶持方式：大基金與湖北地方國資協同，為其提供數百億級重資產建廠資金。國家在稅收上給予10年企業所得稅免征等最高規格紅利。

項目動態： 政策正在強力支持其三期產線大擴產，目標在2026年底實現全球銷售份額沖刺 15%（月產能達30萬片），并進一步提升國產設備的應用比例。

1. 長鑫存儲（DRAM 內存國家級項目）

扶持方式：由國家大基金與安徽合肥國資聯合主導投資。政府正在全力推進其沖刺科創板IPO（預計募資295億元），提供直接的綠色上市通道。

項目動態：政府專項攻關項目正掛牌支持其

高帶寬內存（HBM3）的研發及先進封裝落地，目標在2026年將HBM月產能至少拉升至5萬片。

政策組合拳：制造、采購與生態；信貸與稅收傾斜：研發費用實行200%加計扣除，先進存儲芯片制造企業（28nm及以下）可享受“五免五減半”或最長10年的所得稅豁免。各大國有銀行面向存儲項目提供大額、遠低于市場利率的長期貸款。

信創采購指令（國產替代）： 通過政府 ICT 政府采購、金融/電信等關鍵信息基礎設施的硬性招標指標，強行推動國內終端（如服務器、PC、智能手機）優先適配并采購長江存儲和長鑫存儲的國產顆粒。

材料鏈“死命令”：2026年內部已形成默契，要求國內晶圓廠使用的12英寸硅片國產化率必須沖刺 70%，用下游制造的產能去反向強推上游設備和材料的試錯與成熟。

十四、內存芯片相關主題投資基金，按相關度等綜合排名

以上文章摘自老馬投資研究的《內存芯片產業鏈分層拆解+各賽道分析，含：核心個股/基金），感謝老馬同志。

這里是《邏輯與常識》，用邏輯看市場，用常識做投資。

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