6月是否是半導體行業(yè)超級周期的短期頂點？從超級IPO的周期和國際通脹、期權的擠壓效應等傳導看，有可能，至少是在AI-算力的傳導環(huán)節(jié)中出現(xiàn)結構化分化。而從中長期來看，各主要經濟體的GDP已經和AI捆綁，目前看來，除了華爾街的AI分歧，三星應該是對此心中最沒底的，這一方面體現(xiàn)在其對擴產的長期猶豫之上，一方面也體現(xiàn)在其對罷工要求的難以妥協(xié)之中。

而此次在韓國國家工程院第285屆NAEK論壇上，三星電子設備解決方案部門常任顧問、三星半導體（DS）部門前總裁慶桂顯（Kye-hyun Kyung）則是直接表示，隨著中國企業(yè)產能的快速擴張，全球存儲芯片供應量將會快速激增，市場格局可能會在明年下半年或2028年上半年發(fā)生根本性轉變，而如果大型科技公司的資本支出回報率下降，那投資驅動下的半導體產業(yè)的價格也會下降，同時，即使不存在上述問題，內存需求本身也會在2028年后萎縮。

不過，慶桂顯在21-24年擔任三星半導體總裁時，因判斷HBM和AI周期失誤，對高帶寬內存(HBM)重視不足，導致三星在AI芯片存儲領域持續(xù)落后于SK海力士和高通。

我們回到本次公開演講中，慶桂顯的話明顯是將中國產能擴張視為市場反轉的核心推手。

但這一觀點是否會成立，還難說，一方面，根據(jù)最新規(guī)劃，長江存儲武漢三期工廠將于 2026 年底投入量產，2027 年達成月產能 5 萬片的階段性目標，三座新廠全面達產后總產能將較現(xiàn)有水平提升超過 100%，長鑫存儲現(xiàn)有合肥一期、二期及北京三條生產線將于 2026 年全部達產，DRAM 月產能目標提升至 35-40 萬片，全球市場份額從當前的 7.67% 向 10%-15% 邁進。

然而，中國產能擴張對全球市場的沖擊將呈現(xiàn)顯著的結構性特征。首先，國產存儲企業(yè)目前主要聚焦于通用型 DDR5 DRAM 和 200-300 層 3D NAND 市場，而當前全球存儲市場最緊缺、利潤最高的 HBM 高帶寬內存領域，我國龍頭企業(yè)仍落后國際巨頭2 代左右的技術差距。

此外，長鑫存儲的 HBM3 預計到 2026 峰值時期，年產能也僅能達到每月 5 萬片晶圓，僅相當于三星和 SK 海力士同期 HBM 產能的 20%-25%，同時，我國半導體具有明顯的內部市場供給特征，在歐美嚴苛的貿易制度下，對韓國出口的影響主要是在我國進口端。

其次，國際三大存儲巨頭正主動將產能向高附加值的 AI 存儲傾斜，通用存儲產能本來就是已經被戰(zhàn)略放棄的市場。

三星、SK 海力士和美光已將約 70% 的先進存儲產能分配給 AI 服務器市場，才導致全球通用存儲出現(xiàn)約 60% 的供應缺口。我國企業(yè)的產能擴張本質上是在填補這一缺口，而非馬上制造新的過剩，這個階段時點最早也要到29-30年左右。

即使按照最激進的擴產計劃，到 2028 年中國存儲企業(yè)的全球總份額也難以超過 25%，且絕大部分是10NM以上的制程，不足以改變行業(yè)整體供需格局。

此外，慶桂顯關于 "國際資本支出存疑" 的判斷，我感覺更多是基于歷史周期經驗的推演，不一定與當前市場實際情況相符。

因為2026 年全球半導體資本支出預計達到 2000 億美元，同比增長 20%，其中存儲行業(yè)資本支出增長尤為顯著，其中，三星 2026 年半導體投資約 400 億美元，同比增長 20%，SK 海力士支出 205 億美元，同比增長 17%，美光更是將 2026 財年資本支出從此前預估的 180 億美元大幅提升至約 250 億美元，但這里面確實存在結構化，比如前面是走技術升級為主，后者是走產能擴大。

更重要的是，北美四大云廠商目前預計 2026 年合計資本開支預計達到 7133 億美元，同比增長 73.6%，而且谷歌、微軟等巨頭均明確表示 2027 年資本開支將繼續(xù)大幅增長。

這其中，AI 業(yè)務的快速變現(xiàn)是支撐這一投入的核心邏輯：谷歌 Gemini 大模型每分鐘處理的令牌數(shù)量超過 160 億個，環(huán)比增長 60%；微軟 Azure 收入增速保持在 40% 以上，各家云廠商的 AI 訂單積壓均已超過數(shù)千億美元，如果半年報時，這個增速不降，那這個支出預期也不會下降！

畢竟，當前 AI 資本開支的高增長確實依賴于投資回報率的持續(xù)兌現(xiàn)，一旦 AI 商業(yè)化進程放緩或出現(xiàn)技術瓶頸，資本支出確實存在邊際放緩的可能，但這種放緩更可能是增速的回落，而比較難以在規(guī)模上出現(xiàn)馬上的下降。

目前市場最激進的美銀預計 2027 年全球超大規(guī)模云計算商資本開支將突破 1 萬億美元，再增約 25%，這意味著存儲需求的基本盤可能依然穩(wěn)固，但要注意超級IPO、美聯(lián)儲、國際局勢對市場的資金虹吸影響。

所以，慶桂顯的判斷存在兩個明顯的偏頗之，一是忽視了存儲市場的結構性分化，當前市場已經不再是過去 "一榮俱榮、一損俱損" 的同質化周期，而是呈現(xiàn)出 "AI 存儲持續(xù)緊缺、通用存儲逐步平衡、消費存儲看誰先補" 的多元格局。即使 2027 年下半年通用存儲價格出現(xiàn)回落，HBM、車規(guī)存儲等高端市場仍將保持供不應求狀態(tài)，三星、SK 海力士等在高端市場占據(jù)絕對優(yōu)勢的企業(yè)仍能維持較高的盈利水平。

同時，與過去消費電子驅動的周期不同，本輪存儲超級周期的核心驅動力是 AI 大模型對數(shù)據(jù)存儲和處理的指數(shù)級需求，只要這個路徑，金融還能為其提供便宜資本，那么就很難說2028年后市場會開始突然萎縮，除非B/C端消費預期大降，算力市場先一步進入紅海價格戰(zhàn)。

不過綜合來看，全球存儲市場確實可能在 2027 年下半年至 2028 年上半年迎來一個階段性的價格調整，但這種其實也是高預期透支向正常市場過渡的情況，供大于求，除非再次出現(xiàn)光伏現(xiàn)象，我們的產能達到市場需求的50%~200%以上，目前看，這需要萬億級的再投入，且大量半導體公司市盈率已經過萬倍，資本市場需要源源不斷的散戶杠桿投入，才能持續(xù)實行對其的價格承載。