湖南
存儲芯片正迎來由 AI 驅動的超級周期。
據IPO早知道消息，證監會官網顯示，國產存儲巨頭長江存儲控股股份有限公司（以下簡稱“長江存儲”）啟動上市輔導，正式開啟A股IPO進程，輔導機構為中信證券和中信建投。
成立于2016年的長存集團作為一家集芯片設計、生產制造、封裝測試及系統解決方案產品于一體的存儲器IDM企業，其全資子公司長江存儲估值超1600億元，是半導體行業估值最高的獨角獸。
作為長存集團發展的核心引擎，長江存儲在存儲芯片技術領域屢獲突破，斬獲多項國際大獎，為產品創新奠定了堅實的技術基礎。
2017年10月，長江存儲就通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創新晶棧 Xtacking架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產。2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產品研發成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發布之時業界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
值得一提的是，長江存儲自主研發的晶棧Xtacking架構是企業的核心技術王牌，該架構開創性地采用了晶圓鍵合這一關鍵技術，在傳輸速度、存儲密度、研發效率及生產周期都具有突破性優勢。
這里不妨補充一點，在晶棧Xtacking架構推出前，市場上的3D NAND主要分為傳統并列式架構和CuA（CMOS under Array）架構——長江存儲通過創新布局和縝密驗證，經過長達9年在3D IC領域的技術積累和4年的研發驗證后，終于將晶圓鍵合這一關鍵技術在3D NAND閃存上得以實現。在指甲蓋大小的面積上實現數十億根金屬通道的連接，合二為一成為一個整體，擁有與同一片晶圓上加工無異的優質可靠性表現，這項技術為未來3D NAND帶來更多的技術優勢和無限的發展可能。隨著層數的不斷增高，基于晶棧?Xtacking? 所研發制造的3D NAND閃存將更具成本和創新優勢。
這一架構憑借獨特的設計理念與領先的技術性能，已先后三次斬獲FMS獎項，成為全球3D NAND技術領域的重要創新成果。晶棧?Xtacking?4.0創新架構在2025年8月斬獲FMS 2025 3D NAND類目“最具創新存儲技術獎”，這一獎項的獲得，充分印證了長江存儲在3D NAND技術領域的重要地位，也體現了國際市場對國產存儲芯片技術的高度認可。
不可否認的是，當前全球AI需求爆發、核心硬件成本暴漲，存儲芯片正迎來由 AI 驅動的超級周期——中信證券研報表示，受 AI 強勁需求拉動，存儲需求將保持高景氣度，存儲芯片的漲價有望貫穿 2026 年全年并持續帶來行業催化。摩根士丹利指出，AI 產業鏈的瓶頸正從 GPU 轉向存儲、封裝與網絡帶寬，存儲需求的剛性增長將持續至少3-5年。
成立至今，長存集團已完成多輪融資，投資方涵蓋國有資本、民營資本、國家集成電路產業投資基金一期及二期等產業資本、五大行等金融資本，以及一眾知名VC/PE。
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