2026年6月25日，A股芯片板塊早盤反復走強，科創50指數半日大漲4.18%，盤中創歷史新高。受美光科技業績大超預期提振，半導體市場情緒回暖，存儲芯片、先進封裝賽道資金交投火熱，相關產業鏈個股強勢大漲，推動科創指數再上新臺階。

相關ETF——截至11:30，全市場科創芯片ETF綜合費率最低標的——科創芯片ETF華安(588290)上漲3.83%，換手6.92%，成交3.7億元。跟蹤指數上證科創板芯片指數(000685)強勢上漲4.19%，成分股芯原股份上漲15.65%，佰維存儲上漲11.81%，聚辰股份上漲11.15%，海光信息、中科飛測等個股跟漲。截至6月24日，從資金凈流入方面來看，科創芯片ETF華安(588290)近3天獲得連續資金凈流入，合計“吸金”2.48億元。

科創50ETF華安(588280)上漲4.13%，換手4.6%，成交1694.15萬元。跟蹤指數上證科創板50成份指數(000688)強勢上漲4.18%，成分股芯原股份上漲15.65%，佰維存儲上漲11.81%，百利天恒上漲9.86%，海光信息、中科飛測等個股跟漲。

消息面上，美東時間6月24日盤后，全球存儲芯片龍頭美光科技發布2026財年第三財季財報，各項核心業績指標大幅超越華爾街一致預期。公司當期總營收達到414.6億美元，同比大幅增長346%，環比增幅也達到74%；凈利潤同比暴漲近14倍，毛利率攀升至84.9%創下歷史新高，調整后每股收益顯著高于市場預估，AI數據中心業務成為最大增長引擎，HBM高端存儲產品供不應求，訂單持續飽滿。

財報發布后，美光美股盤后股價大漲超16%，直接帶動海外存儲芯片板塊集體走強。市場普遍認為，這份超預期業績驗證了AI算力建設拉動存儲需求持續上行，存儲芯片漲價周期仍將延續，行業高景氣度至少維持至明年，也給國內存儲產業鏈帶來較強的情緒催化，國產內存、閃存及配套半導體環節有望迎來估值與業績雙重修復機會。

國內方面，半導體行業內相關研究機構認為，正推進IPO的長鑫存儲估值被顯著低估。報告指出，長鑫存儲IPO估值相當于2026年上半年母公司盈利的約1.8倍，該機構認為這一定價“明顯偏低”。

與此同時，長鑫存儲2026年全年營收預計突破500億美元，較2025年的約86億美元實現數倍增長，有望躋身全球第三大DRAM供應商行列。更為關鍵的是，即便未來幾年大規模擴產，全球DRAM市場仍將維持供不應求格局，景氣周期有望持續至2028年前后。

相關機構表示，當前存儲景氣周期持續，現貨價開始回升，二季度合約價預計環比增幅仍有60%，同時原廠多年期擴產計劃穩步推進，存儲供需緊缺或將持續存在。產業鏈各公司業績有望持續增長，5月臺廠數據率先印證二季度各家業績環比仍將加速，另外NOR與SLC等產品漲幅更大，相關環節公司在未來增長有望逐步體現。由于長協極大增強了原廠業績能見度，本輪存儲周期持續性或將進一步延長，海外大廠即將迎來二季度業績披露期，建議持續關注。

機構指出，2026年全球DRAM供需缺口達到近年新高，行業漲價周期至少延續至明年。長鑫存儲估值被低估凸顯國內存儲資產價值，隨著國產顆粒順利進入服務器、工控、車載供應鏈，本土存儲廠商徹底擺脫周期虧損。當前板塊估值仍處于低位，疊加科創政策加持，國產存儲芯片具備持續估值修復機會，科創存儲產業鏈彈性突出。

公開資料顯示，科創芯片ETF華安(588290)緊密跟蹤上證科創板芯片指數，覆蓋芯片設計、制造、設備、材料、封測全產業鏈，共50只核心科創芯片標的。重倉寒武紀、瀾起科技、中芯國際等國產半導體自主可控龍頭，充分受益AI算力、晶圓漲價、先進封裝產業紅利。此外，上證科創板芯片指數跟蹤標的細節拆分來看，科創芯片ETF華安(588290)為全市場首批科創芯片ETF，其日均成交額長期位居上證科創板芯片指數前兩位，產品流動性穩居賽道前列，充足的產品流動性可有效降低投資者資金進出時的沖擊成本；同時，科創芯片ETF華安(588290)費率優勢突出，綜合運作費率僅0.2%，為同指數費率最低標的，長期持有可有效壓縮成本，助力投資者低成本把握芯片板塊行情紅利。相關聯接基金(A類：017559；C類：017560)。

科創50ETF華安(588280)緊密跟蹤上證科創板50成份指數，集中覆蓋半導體、人工智能、高端裝備、創新藥等硬科技賽道，匯聚國內一批掌握核心技術的科創龍頭企業，助力投資者完整捕捉芯片國產替代、算力建設等科技產業紅利。場外聯接(A類：020714；C類：020715)。

數據來源：Wind。以上信息僅供參考，不構成投資建議。市場有風險，投資需謹慎。