文 | 朝陽資本論，作者 | 鼓風

6月份的存儲，二級市場買方強勢，疊加業績預期，“超級周期”名副其實。

就在剛不久，美光科技財報又加了一把火。2026財年第三財季營收414.6億美元，同比暴增346%；毛利率達84.9%。

面對本輪存儲超級景氣周期，國產存儲雙雄，長鑫科技、長江存儲正抓緊機會“上車”。

客觀看，留給長鑫和長存搶占通用存儲市場的黃金時間窗口，只有1-2年。

畢竟，高盛、摩根士丹利等國際投行研判高度一致：本輪存儲景氣周期將貫穿2026-2027年，2028年是供需拐點。

賽道內的龍頭企業判斷與投行如出一轍。

據韓媒透露，三星內部已預判，這輪由AI算力需求驅動的內存超周期，將在2028年前后走向終結。

美光也明確表態，存儲芯片供應緊張將持續至2027財年之后，預計2028年才會逐步改善。

此外，海外巨頭已在提前布局通用存儲市場的回歸。

據韓媒消息，SK海力士近期已放緩HBM4擴產步伐，明確要將更多產能與研發資源傾斜至通用型DRAM市場。

可以說，一旦HBM供需緩和，海外巨頭隨時可能集體回頭重搶通用存儲市場，快速擠壓國產廠商的生存空間。

屆時，如果國產存儲雙雄尚未在產能規模、技術代際、客戶黏性上建成足夠深的護城河，通用存儲市場價格戰將重新開打。

而價格戰，恰恰是長鑫2023年虧損163億、2024年虧損71億的導火索。

市場會用真金白銀買2026年業績暴漲的長鑫，不會買2024年虧損的長鑫。

周期反轉拐點，才是真正的定價錨。

這也是長鑫科技火速過會拿批文、165天完成注冊的根本原因；也是長江存儲5月進入輔導、6月完成武漢新芯股權重整、掃清一切上市障礙的直接動力。

當下，是長鑫和長存上市融資擴產搶占通用存儲市場的最佳窗口，可能也是唯一窗口。錯過這1-2年，再等下一個這樣AI爆發周期，不知猴年馬月了。

超級周期不會等人，海外巨頭不會輕易讓出通用存儲市場，爭分奪秒，分秒必爭。

存儲賽道太火了

2026年，全球半導體資本市場最熱主線，非存儲賽道莫屬。

從美股到韓股，從科創板到創業板，板塊全線走出史詩級行情：三巨頭三星、SK海力士、美光三大龍頭集體站穩萬億美元市值。

A股“存儲模組三杰”——德明利、佰維存儲、江波龍年內股價全線大漲，尤其德明利表現活躍，從230元漲到800元，讓投資者側目。

（A股存儲龍頭德明利近3個月的股價走勢，從230元一路飆漲破800元，年內累計最大漲幅超250%）

資金持續扎堆的背后，產業邏輯已經重構，存儲芯片不再是跟隨消費電子波動的周期元器件，而是AI算力時代的核心戰略資產、數字石油。

過去，中國在DRAM和NAND兩大核心存儲賽道沒有底氣，全球存儲市場的游戲規則由美韓巨頭單方面書寫，中國既無規模、也無技術話語權。

在這輪存儲景氣周期，國產龍頭規模擴張迅速，市場研究機構Counterpoint報告顯示，長鑫科技已在DRAM賽道拿下全球約8%的份額，長江存儲在NAND賽道占據全球13%的市場。

現在可以說，中國存儲產業從“旁觀者”轉變為深度參與全球產業分工與標準制定的“共建者”，不僅能開始自主定義技術路線，還能用成熟產能直接參與市場價格博弈，更以核心IDM平臺牽引整條國產供應鏈協同升級，在全球存儲產業格局中逐漸擁有發言權。

這也是長鑫科技能夠以165天（從受理到注冊生效）創下大型硬科技IPO審核效率紀錄的根本原因，存儲超級景氣周期不等人，此時此刻不融資不擴產，更待何時？

四十年的追趕與十年的攻堅

這一輪國產存儲龍頭能快速搶占通用存儲市場份額，首先要歸功于海外三巨頭。

為什么這么說？

因為三星、SK 海力士、美光為追逐HBM超高毛利，將70%以上新增先進晶圓產能傾斜HBM，大幅縮減DDR4、普通DDR5、消費級NAND投片量，形成 “高端擠壓低端” 的產能斷層。

這給了長鑫科技、長江存儲擴張中低端通用存儲市場的機會。

長鑫科技一躍成為中國第一、全球第四的DRAM廠商，2026年一季度營收508億元，同比增長719%，歸母凈利潤247.62億元，全球市占率升至7.7%。長江存儲一季度營收突破200億元，同比增長約100%，全球NAND市占率從8%躍升至13%。

當然，打鐵也要自身硬。

當下國產存儲雙雄的DRAM、NAND產品成熟度達標，通用存儲顆粒性能、良率、成本全面對標海外中端產品，已經具備承接全球通用訂單的硬實力。

從無到有再到規模這一步，國家用了四十年，國產存儲雙雄用了十年。

回望歷史，中國存儲產業的追夢之旅始于1975年，北京大學實驗室里誕生的第一塊1024位MOS DRAM，曾讓中國存儲站在了世界起跑線上。

然而此后數十年，產業化的漫長征程卻在技術封鎖與資本鴻溝面前一再延宕。

真正的轉折發生在2016年。

那一年，長鑫科技與合肥政府達成協議，全力攻堅技術壁壘極高的DRAM制造。

彼時，三星、SK海力士、美光三家巨頭已壟斷全球90%以上份額，技術、資金、專利三重壁壘將中國拒之門外。

幾乎同一時間，長江存儲在武漢成立，下定決心繞過海外廠商的2D NAND專利封鎖，直接切入3D NAND賽道。

為什么DRAM和NAND兩大存儲賽道，會交由兩家不同的公司分頭攻堅？

這其實是國家層面的戰略布局。

2016年之前，存儲芯片是中國產業鏈中“卡脖子”最深的環節之一，形勢緊迫，中國不可能先攻一條再攻另一條，必須雙線并進、同時突圍。

技術層面，DRAM和NAND雖然同屬存儲芯片，但技術原理和制造工藝截然不同。

DRAM的核心在于制程微縮，依賴光刻精度，比拼的是線寬極限；NAND的核心在于3D堆疊層數，依賴薄膜沉積和刻蝕工藝，比拼的是垂直高度。

兩者的技術路線、人才結構、設備需求交集有限。在當時的條件下，一家公司同時攻克兩條路線，人力、資金和管理精力都無法承載。將兩條賽道分拆給不同團隊，各自集中資源專注突破，是理性的戰略選擇。

正是基于上述客觀情況，2016年三大存儲器項目同步啟動：長江存儲主攻NAND Flash；合肥國資與兆易創新聯手設立長鑫，自主研發DRAM；福建晉華原計劃通過與聯華電子合作切入DRAM，后因法律糾紛而發展停滯。

多線并進，各有側重，形成了覆蓋兩大核心賽道的完整拼圖。

從區域產業布局來看，兩座城市分頭卡位存儲產業最關鍵的兩條賽道并非偶然。

武漢光谷集聚300余家集成電路企業，涵蓋芯片設計、制造、封裝、測試全鏈條，其中就包括長江存儲這一產業龍頭，天然的產業集群效應讓長江存儲在上游設備驗證、材料配套、人才供給等方面均享有地利之便，為3D NAND的快速迭代提供了堅實的產業腹地。

合肥則依托長鑫科技的龍頭帶動效應，集聚400余家集成電路企業，以長鑫為核心，DRAM產業鏈上下游的設計公司、設備廠商、材料供應商圍繞其構建了完整的生態圈，讓長鑫在制程追趕過程中能夠實現“就近配套、快速響應”。

十年之后，這場戰略布局的價值已全面兌現，尤其隨著2025年存儲超級周期開啟，投入終迎回報。

長鑫與長存成長為各自賽道的領軍者，在龍頭的帶動下，國產存儲設備、材料、封測整條產業鏈協同爆發，中國第一次打通了從晶圓到模組的存儲全鏈路。

抓緊上市融資擴產，助力DRAM賽道突破

存儲是重資產標準化賽道，規模直接決定單位成本，韓國三星和海力士之所能崛起到壟斷全球，背靠韓國政府的扶持以及財閥資本的現金流托底。

長鑫、長江存儲也類似，和韓國政府持續扶持邏輯一致，國內大基金、地方國資是長鑫、長存核心股東，合肥、武漢地方政府提供土地、配套資金、稅收優惠，在行業下行周期提供現金流托底，允許企業階段性虧損換產能擴張。

2024年行業底部，兩家企業沒有縮減資本開支，反而持續推進新廠區建設，完美復刻韓國 “別人減產我擴產”的周期打法。

當下海外巨頭收縮通用存儲產能，正是國產廠商逆周期放量、搶占份額的黃金窗口期。

也因此，對長鑫科技與長江存儲而言，此刻唯一的戰略命題是：趕緊上市，速度融資，立刻擴產，承接這一波時代紅利。

所以就有了資本市場的神速表現。

作為中國大陸唯一具備DRAM全流程IDM量產能力的企業，長鑫科技創下大型硬科技IPO審核效率紀錄。

募資295億元，規模位列科創板歷史第二，資金重點投向晶圓產線升級、DDR5通用顆粒擴產、HBM高端AI存儲研發，擴產節奏完美匹配海外大廠收縮通用產能的窗口期。

隨著這輪景氣周期，長鑫科技基本面已跨過盈虧平衡點，進入業績爆發期。

2025年公司首次年度扭虧，營收617.99億元，歸母凈利潤18.75億元；2026年增長勢能全面釋放，單季營收突破508億元，同比暴漲719.13%，單季歸母凈利潤247.62億元，日均盈利超2.75億元。

上半年業績預告顯示，營收有望突破1100億元至1200億元，歸母凈利潤500億至570億元。

市場普遍預期7月底至8月初正式掛牌，上市后充足資本將持續加碼通用DRAM產能，放大周期紅利帶來的份額增量。

特別值得一提的是技術面，在EUV光刻機全面禁運的背景下，長鑫依托DUV多重曝光工藝走出極限追趕路線。

19nm成熟制程穩定量產，支撐DDR4海量出貨；17nm先進制程良率突破90%，全面適配DDR5、LPDDR5X等中端服務器、移動端通用產品，最高速率達8000MT/s；16nm制程已實現規模化量產，下一代更先進制程正持續研發推進，逼近DUV工藝物理極限。

在定價上，長鑫科技也是堅持用低價搶市場的策略，DDR4等成熟產品定價遠低于海外競品，逼海外廠商主動放棄中低端通用市場。

戰略價值方面，長鑫科技的作用也遠不止于“造出了國產DRAM”。

在長鑫出現之前，中國大陸DRAM顆粒100%依賴進口，如今黨政、金融、能源等關鍵信息基礎設施擁有了完全自主的內存芯片供應，從根源上規避了地緣斷供風險。

與此同時，長鑫的崛起打破了三星、SK海力士、美光三家寡頭長達數十年的價格同盟，國內終端廠商議價權大幅提升。

在設備國產化方面，北方華創、中微公司、拓荊科技、盛美上海等企業的PVD/CVD、刻蝕、薄膜沉積、濕法清洗及測試設備均已加速進入長鑫供應鏈體系，當前國產設備整體占比已達四至五成。

長江存儲NAND賽道話語權，正在質變

DRAM賽道之外，國產3D NAND龍頭長江存儲的資本化進程同樣全面提速，意在抓住本輪存儲超級周期完成通用NAND產能跨越式擴張。

2026年5月19日，長江存儲正式在湖北證監局完成IPO輔導備案，由中信證券與中信建投聯合輔導。根據市場普遍預期，長江存儲最快有望于2026年下半年向科創板提交上市申請。

為掃清合規障礙，公司推動子公司武漢新芯股權重整、撤回獨立IPO申請，徹底消除同業競爭。

從技術層面看，長江存儲最核心的競爭力，在于全球獨有的“Xtacking?晶棧架構”。

采用“雙晶圓獨立制造+混合鍵合”模式，將存儲單元陣列與CMOS外圍電路分別在兩片晶圓上獨立制造，再通過銅-銅直接鍵合技術垂直拼接，徹底解決了傳統架構中外圍電路擠占存儲面積、堆疊層數越高良率越難控制的瓶頸。

依托這一架構，長江存儲跑出行業最快迭代速度：2018年32層實現從0到1，2022年232層躋身全球第一梯隊，2025年294層產品實現量產。

當前294層TLC通用顆粒良率超90%，存儲密度達20Gb/mm2；其232層產品量產良率更高達92.5%，性能已比肩巨頭競品。與三星286層、SK海力士321層相比，層數差距已縮小至一代以內。

產品端已搭建完整通用存儲矩陣：致態消費級SSD對標三星旗艦；中端企業級SSD批量進入國內云廠商、運營商，填補美光、鎧俠收縮的中端通用服務器閃存份額；閃存顆粒產品已廣泛應用于下游模組廠商及嵌入式存儲方案。

在國產替代層面，長江存儲的戰略價值同樣突出，是國內唯一打通了從設備到材料全鏈條國產化驗證的晶圓制造平臺。

三期工廠國產設備采購占比首次突破50%，整體國產設備采用率約45%，已是國內所有晶圓廠中的最高水平。關鍵設備環節也已經實現國產主導。比如在刻蝕設備領域，中微公司在長江存儲供應鏈中占比超40%，其3D NAND刻蝕設備全球市占率第一。

從刻蝕到薄膜沉積，從晶圓載具到CMP拋光墊，從靶材到硅片，長江存儲在用大規模量產采購，驗證并拉動整條國產供應鏈的結構性升級。

“兩存”合力，重塑全球存儲產業格局

長鑫與長存已筑起了中國存儲產業的防火墻，兩者合力，正在從三個維度重塑全球存儲產業格局。

產能層面，集體突圍正在改變全球供給格局。

長鑫科技目前月產能28萬至30萬片DRAM，2026年底目標40萬片；長江存儲月產能20萬片NAND，遠期規劃50萬片。

從全球供需格局看，2026年全球DRAM產能約1220萬至1280萬片/月，NAND產能約1600萬至1700萬片/月，“兩存”的產能擴張正在實質性改變全球存儲供給結構。

全部達產后，兩存合計月產能將達90萬片，足以對全球存儲供需產生深遠影響。

技術層面，標準定義權正在發生歷史性轉移。

長鑫的17nm制程良率突破90%，DDR5速率達8000MT/s，性能差距與龍頭產品縮至5%以內；長江存儲的Xtacking架構更實現了從“跟跑”到“并跑”的跨越。

尤其是2025年初三星與長江存儲達成混合鍵合技術專利許可協議，這是全球存儲產業三十年來，海外巨頭首次向中國企業購買核心技術專利。

當然客觀差距也明顯，制程代差依然存在，長鑫在工藝密度和能效上仍有約1.5至2代的追趕空間，HBM領域差距更大。

資本層面，生態牽引力正在形成正向循環。

長鑫科技IPO募資295億元、長江存儲預期募資200-300億（該數據基于市場機構的合理預測），這些募集的資金會流向哪里？

大概率預測融資額度約80%將轉化為存儲產業鏈的設備采購訂單，且會大規模采購國產設備，直接拉動刻蝕、薄膜沉積、清洗、量檢測等國產半導體設備全產業鏈的訂單增長，最終形成“資本投入→產能擴張→國產替代深化→業績釋放”的正向循環。

存儲雙雄將國產設備替代扎根到了全產業鏈深處。

景氣周期存續多久是關鍵

對投資存儲賽道的投資人而言，圍繞存儲雙雄，有兩個敏感問題無法回避。

一是存儲超級景氣周期能持續多久？產能過剩拐點何時到來；二是資本市場能否承受如此大的募資抽血壓力。

存儲景氣周期前者決定如長鑫科技業績暴漲持續多久，畢竟其單季凈利潤達330億元是建立在存儲緊缺DRAM產品價格暴漲之上。

目前看，高盛等國際投行的預測是本輪存儲超級景氣周期大概率貫穿2026-2027年，供給剛性、HBM擠占、長協鎖貨三重因素疊加，決定了緊缺格局難以在短期內逆轉。

但風險是，海外大廠不是永遠不做通用存儲，只是當下HBM的毛利是通用存儲的 3-4倍，資源優先傾斜高端賽道。一旦HBM供需緩和，海外巨頭隨時可以調整產線結構，回頭重新搶占通用存儲市場。

韓國媒體傳出，三星內部此前已預判DRAM超級周期將于2028年終結，正據此校準投資節奏，避免重蹈過度擴張的覆轍。

美光大量新增產能預計將在2028年左右集中涌入市場，屆時供需平衡可能面臨重新洗牌。

另一龍頭SK海力士則更直接，調整產能規劃傾斜資源給通用DRAM產能。

韓媒稱，已占據HBM競爭優勢SK海力士無需繼續采取激進的擴產競爭策略。相比之下，通用型 DRAM 供應嚴重短缺，盈利能力也已經超過 HBM，成為獲取更多利潤的新重點。

所以，留給長鑫和長存搶通用存儲市場的時間窗口，也就1-2年光景。

換言之，必須趕在2028年海外新產能集中釋放、供需格局逆轉之前，完成產能擴張和市場份額的鎖定。

對絕大部分理性的投資人而言，業績暴漲的長鑫值得買入，但2024年虧損的長鑫就不會多看一眼，所以市場集體關注周期反轉拐點。

另外關于募資抽血的問題。兩存合計預測500-600億元的融資規模，在A股日均成交額超3萬億元的市場體量中能否承受？

客觀說，不好評價， 兩存上市節奏大概率錯開許久，并非同個區間釋放，關鍵還是存儲賽道產業趨勢是決定市場走向的核心變量。

這里也有賭國運的邏輯，賭存儲雙雄能夠逆流而上，穩住市場份額，業績營收持續增長，持續吸引資金流入。

把視角拉大，復盤全球存儲產業四十年格局變遷，其實每一次龍頭換位，都離不開對周期窗口的精準把握：日本企業抓住PC產業起飛的窗口崛起，韓國企業抓住金融危機后的行業低谷逆勢擴產實現反超。

如今，AI重構產業秩序、海外巨頭主動收縮通用賽道、國產替代需求全面爆發，三重紅利疊加，給了中國存儲雙雄一次改寫格局的歷史機遇。

長鑫科技IPO臨門一腳，長江存儲輔導啟動，資本化的大幕已經拉開。但要真正抓住這輪超級周期，核心還是產品競爭力。

最終看，新產線建設能否轉化為真實的市場份額，產品性價比能否在通用存儲領域徹底站穩腳跟。

但不管如何，國產存儲賽道已經成長起來。